Etude des transistors HEMTs à base de GaN / Ilhem Azioune 

Public ISBD Titre : Etude des transistors HEMTs à base de GaN : Utilisant COMSOL Type de document : texte imprimé Auteurs : Ilhem Azioune, Auteur ; L. Semra, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 39 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Transistor à effet de champ à double-hétérojonction (HEMT)  nitrure de gallium (GaN)  nitrure d’aluminium de gallium (AlGaN)  COMSOL Index. décimale : 610 Electronique Résumé : l'ère des nanotechnologies, les transistors à effet de champ à hétérojonction à base de nitrure de gallium (GaN) apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une grande linéarité. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT à base de GaN, en tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositive. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8492 Etude des transistors HEMTs à base de GaN : Utilisant COMSOL [texte imprimé] / Ilhem Azioune, Auteur ; L. Semra, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 39 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Transistor à effet de champ à double-hétérojonction (HEMT)  nitrure de gallium (GaN)  nitrure d’aluminium de gallium (AlGaN)  COMSOL Index. décimale : 610 Electronique Résumé : l'ère des nanotechnologies, les transistors à effet de champ à hétérojonction à base de nitrure de gallium (GaN) apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une grande linéarité. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT à base de GaN, en tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositive. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8492

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