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Titre : Contribution à l’étude des couches minces de MgO : Effets des paramètres expérimentaux. Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelouahab Oudina, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2019 Importance : 51 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : couches minces MgO Index. décimale : 530 Physique Résumé : Des films minces de MgO pure avec différentes épaisseurs (161nm, 229nm et 453nm) ont été
élaborés avec succès pour la première fois sur des substrats en verre par la méthode sol-gel et le
procédé trempage-tirage pour montrer l’influence de l’épaisseur sur les différents paramètres
cristallographiques, optiques et structurels des films minces MgO. Les résultats de diffraction X
(DRX) montrent que les films MgO sont polycristallins de type cubique à faces centrés, ces films
présentent une croissance cristalline suivant la direction (200) et (220).
La transmittance des couches minces de différentes épaisseurs (161 nm, 273 nm et 425 nm) est
d’environ de 80% à 85% dans la région visible. Le gap optique des échantillons augmente
lorsque l’épaisseur des films augmente.
La morphologie des films de différentes épaisseurs montre que la surface du film est couvert
avec de grains sphériques et ellipsoïdaux, les grains sont répartis uniformément sur toute la
surface et les tailles des grains comprises entre 180 nm et 300 nm. Un bon accord à été trouvé
entre nos résultats et d’autres résultats obtenus par d’autres travaux de recherches.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=11730 Contribution à l’étude des couches minces de MgO : Effets des paramètres expérimentaux. [texte imprimé] / Abdelouahab Oudina, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2019 . - 51 f. ; 30 cm.
Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : couches minces MgO Index. décimale : 530 Physique Résumé : Des films minces de MgO pure avec différentes épaisseurs (161nm, 229nm et 453nm) ont été
élaborés avec succès pour la première fois sur des substrats en verre par la méthode sol-gel et le
procédé trempage-tirage pour montrer l’influence de l’épaisseur sur les différents paramètres
cristallographiques, optiques et structurels des films minces MgO. Les résultats de diffraction X
(DRX) montrent que les films MgO sont polycristallins de type cubique à faces centrés, ces films
présentent une croissance cristalline suivant la direction (200) et (220).
La transmittance des couches minces de différentes épaisseurs (161 nm, 273 nm et 425 nm) est
d’environ de 80% à 85% dans la région visible. Le gap optique des échantillons augmente
lorsque l’épaisseur des films augmente.
La morphologie des films de différentes épaisseurs montre que la surface du film est couvert
avec de grains sphériques et ellipsoïdaux, les grains sont répartis uniformément sur toute la
surface et les tailles des grains comprises entre 180 nm et 300 nm. Un bon accord à été trouvé
entre nos résultats et d’autres résultats obtenus par d’autres travaux de recherches.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=11730 Réservation
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MSPHY190019Adobe Acrobat PDFÉffet de la molarité sur les propriétés des couches minces de Co3O4 élaborées par spray pyrolyse / Ouissem Randji
Titre : Éffet de la molarité sur les propriétés des couches minces de Co3O4 élaborées par spray pyrolyse Type de document : texte imprimé Auteurs : Ouissem Randji, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2020 Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : couche mince Co3O4 concentration de précurseur pyrolyse par pulvérisation DRX transmittance Index. décimale : 530 Physique Résumé : L'objectif de ce travail est de développer des films Co3O4 et d'étudier l'influence de
différentes concentrations de précurseurs sur les propriétés structurelles, morphologiques,
optiques et électriques des films Co3O4 minces, afin d'améliorer les propriétés
optoélectroniques de ces films. Enfin, nous avons développé des films minces de Co3O4 Ã
différentes concentrations de précurseurs (0,05 à 0,15 mol / l) sous une température de
substrat fixée à 400 ° C et 4 minutes comme temps de dépôt. L'analyse XRD a montré que les
couches déposées ont une structure spinelle cubique avec une orientation préférentielle selon
la direction (311). Les études morphologiques ont montré que la morphologie de surface des
films était presque homogène et dense. La présence des pics associés aux éléments Co et O,
qui étaient présents dans l'analyse EDS, a confirmé la composition des films. La
caractérisation optique de notre film a montré une faible transmittance (de 16 à 0,9%) dans la
zone visible et la zone IR varie entre 40 à 2% sur la plage de concentration de précurseur
variée entre 0,05 et 0,125 mol / l et une absorbance élevée de l'ordre de 100% pour le dépôt de
film de 0,15 mol / l. Les valeurs d'écart obtenues sont comprises entre 1,44 et 1,52 eV et 2,05
à 2 eV pour les régions d'énergie inférieure et supérieure dans la plage de concentration de
précurseur 0,05–0,125 mol / l. Le film préparé à 0,15 mol / 1 avait un bon semi-conducteur
électrique de type p et une bonne absorbance de la lumière du soleil.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14059 Éffet de la molarité sur les propriétés des couches minces de Co3O4 élaborées par spray pyrolyse [texte imprimé] / Ouissem Randji, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2020.
Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : couche mince Co3O4 concentration de précurseur pyrolyse par pulvérisation DRX transmittance Index. décimale : 530 Physique Résumé : L'objectif de ce travail est de développer des films Co3O4 et d'étudier l'influence de
différentes concentrations de précurseurs sur les propriétés structurelles, morphologiques,
optiques et électriques des films Co3O4 minces, afin d'améliorer les propriétés
optoélectroniques de ces films. Enfin, nous avons développé des films minces de Co3O4 Ã
différentes concentrations de précurseurs (0,05 à 0,15 mol / l) sous une température de
substrat fixée à 400 ° C et 4 minutes comme temps de dépôt. L'analyse XRD a montré que les
couches déposées ont une structure spinelle cubique avec une orientation préférentielle selon
la direction (311). Les études morphologiques ont montré que la morphologie de surface des
films était presque homogène et dense. La présence des pics associés aux éléments Co et O,
qui étaient présents dans l'analyse EDS, a confirmé la composition des films. La
caractérisation optique de notre film a montré une faible transmittance (de 16 à 0,9%) dans la
zone visible et la zone IR varie entre 40 à 2% sur la plage de concentration de précurseur
variée entre 0,05 et 0,125 mol / l et une absorbance élevée de l'ordre de 100% pour le dépôt de
film de 0,15 mol / l. Les valeurs d'écart obtenues sont comprises entre 1,44 et 1,52 eV et 2,05
à 2 eV pour les régions d'énergie inférieure et supérieure dans la plage de concentration de
précurseur 0,05–0,125 mol / l. Le film préparé à 0,15 mol / 1 avait un bon semi-conducteur
électrique de type p et une bonne absorbance de la lumière du soleil.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14059 Réservation
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Titre : Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 40 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures cobalt nickel DRX résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là , par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100).
Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures.
Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique.
Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2.
Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX.
Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium [texte imprimé] / Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 40 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures cobalt nickel DRX résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là , par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100).
Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures.
Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique.
Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2.
Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX.
Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MSPHY170039 MSPHY170039 Document électronique Bibliothèque principale Mémoires Disponible Documents numériques
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