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Partager le résultat de cette rechercheCaractérisation structurale par diffraction des rayons X d'un nouveau complexe a base de cobalt / Fatima Boucena
Titre : Caractérisation structurale par diffraction des rayons X d'un nouveau complexe a base de cobalt Type de document : texte imprimé Auteurs : Fatima Boucena, Auteur ; Dallel Rouabah, Auteur ; Sofiane Bouacida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2013 Importance : 63 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Chimie Tags : Composés hybrides Cobalt Diffraction des rayons X Index. décimale : 540 Chimie Résumé : Ce travail a été consacré à la synthèse d’un nouveau matériau hybride formé d’un complexe à base de cobalt et d’un ligand d’un acide aminé.
L’étude structurale, la caractérisation par diffraction des rayons X sur monocristal et l’analyse des interactions interatomiques dans ce complexe le "Bis (3-aminopyrazine-2-carboxylato) diaquacobalt(II) " ont été réalisées
Cette étude a mis en évidence l’alternance de couches croisées parallèlement aux plans réticulaires (110) et (-110) formant des tunnels d’une forme carré le long de l’axe c.
Des liaisons hydrogène de type (N-H…O, O-H…O, O-H…N) et des interactions de type π-π stacking assure la cohésion de l’édifice cristallin de ce complexeDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6912 Caractérisation structurale par diffraction des rayons X d'un nouveau complexe a base de cobalt [texte imprimé] / Fatima Boucena, Auteur ; Dallel Rouabah, Auteur ; Sofiane Bouacida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 63 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Chimie Tags : Composés hybrides Cobalt Diffraction des rayons X Index. décimale : 540 Chimie Résumé : Ce travail a été consacré à la synthèse d’un nouveau matériau hybride formé d’un complexe à base de cobalt et d’un ligand d’un acide aminé.
L’étude structurale, la caractérisation par diffraction des rayons X sur monocristal et l’analyse des interactions interatomiques dans ce complexe le "Bis (3-aminopyrazine-2-carboxylato) diaquacobalt(II) " ont été réalisées
Cette étude a mis en évidence l’alternance de couches croisées parallèlement aux plans réticulaires (110) et (-110) formant des tunnels d’une forme carré le long de l’axe c.
Des liaisons hydrogène de type (N-H…O, O-H…O, O-H…N) et des interactions de type π-π stacking assure la cohésion de l’édifice cristallin de ce complexeDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6912 Réservation
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Titre : Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 44 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures DRX MEB. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de
couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique
sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du
silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des
traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures
300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage
(MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les
différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus.
Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C,
suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la
température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la
température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un
élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase
NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme
complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de
la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible
résistivité.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134 Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel [texte imprimé] / Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 44 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures DRX MEB. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de
couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique
sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du
silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des
traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures
300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage
(MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les
différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus.
Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C,
suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la
température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la
température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un
élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase
NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme
complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de
la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible
résistivité.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134 Réservation
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Titre : Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration Type de document : texte imprimé Auteurs : Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2016 Importance : 58 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons.
L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration [texte imprimé] / Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 58 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons.
L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 Réservation
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Titre : Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 40 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures cobalt nickel DRX résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là, par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100).
Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures.
Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique.
Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2.
Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX.
Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium [texte imprimé] / Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 40 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures cobalt nickel DRX résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là, par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100).
Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures.
Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique.
Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2.
Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX.
Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Réservation
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Titre : Synthèse, caractérisations d’un colorant azoïque et complexation avec les métaux de transitions Type de document : texte imprimé Auteurs : Manel Rezgui, Auteur ; Meriem Halimi, Auteur ; Hassiba Bougueria, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 56 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Chimie Tags : Chimie Inorganique Colorant azoïque diazotation copulation complexe cobalt RX. Index. décimale : 540 Chimie Résumé : Ce travail est consacré à l’étude des ligands azoïques et leurs complexes de métaux de transition
Dans un premier temps, nous avons synthétisées un colorant azoïque il s’agit de :
1-(2-methoxyphenylazo)-2-naphtol, ainsi que son complexe à base de Cobalt qui est :
Le Bis 1-(2-methoxyphenylazo)-2-naphtholatecobalt (II)
Le colorant azoïque a été synthétisé selon la méthode la plus courante, c’est la diazotation de 2-methoxy aniline suivie d’une copulation sur le β-naphtol, tandis que le complexe est synthétisé a partir du même ligand quand on a synthétisé dans le chapitre précédant avec l’acétate de cobalt.
La caractérisation de ces composés à été faite par la diffraction des rayons X sur mono cristalDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3560 Synthèse, caractérisations d’un colorant azoïque et complexation avec les métaux de transitions [texte imprimé] / Manel Rezgui, Auteur ; Meriem Halimi, Auteur ; Hassiba Bougueria, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 56 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Chimie Tags : Chimie Inorganique Colorant azoïque diazotation copulation complexe cobalt RX. Index. décimale : 540 Chimie Résumé : Ce travail est consacré à l’étude des ligands azoïques et leurs complexes de métaux de transition
Dans un premier temps, nous avons synthétisées un colorant azoïque il s’agit de :
1-(2-methoxyphenylazo)-2-naphtol, ainsi que son complexe à base de Cobalt qui est :
Le Bis 1-(2-methoxyphenylazo)-2-naphtholatecobalt (II)
Le colorant azoïque a été synthétisé selon la méthode la plus courante, c’est la diazotation de 2-methoxy aniline suivie d’une copulation sur le β-naphtol, tandis que le complexe est synthétisé a partir du même ligand quand on a synthétisé dans le chapitre précédant avec l’acétate de cobalt.
La caractérisation de ces composés à été faite par la diffraction des rayons X sur mono cristalDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3560 Réservation
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