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Titre : |
Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse |
Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
Année de publication : |
2016 |
Importance : |
58 f. |
Format : |
30 cm. |
Note générale : |
Une copie electronique PDF disponible en BUC |
Langues : |
Français (fre) |
Catégories : |
Sciences Exactes:Physique
|
Tags : |
Couches minces nickel cobalt siliciures résistivité électrique |
Index. décimale : |
530 Physique |
Résumé : |
Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons.
L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique. |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 |
Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration [texte imprimé] / Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 58 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français ( fre)
Catégories : |
Sciences Exactes:Physique
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Tags : |
Couches minces nickel cobalt siliciures résistivité électrique |
Index. décimale : |
530 Physique |
Résumé : |
Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons.
L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique. |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 |
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