Titre :	Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2017
Importance :	44 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	Couches minces  nickel  cobalt  siliciures  DRX  MEB.
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures 300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus. Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C, suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible résistivité.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134

Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel [texte imprimé] / Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 44 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	Couches minces  nickel  cobalt  siliciures  DRX  MEB.
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures 300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus. Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C, suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible résistivité.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134