Catalogue des Mémoires de master
| Titre : |
Etude du comportement dynamique du transistor IGBT en commutation |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Mehdi Bouattia, Auteur ; Daoud Bouziane, Auteur ; Lynda . Khezzar, Directeur de thèse |
| Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
| Année de publication : |
2016 |
| Importance : |
53 f. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Une copie électronique PDF disponible en BUC. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
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| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié la commutation du transistor IGBT. La
commutation est étudiée par modélisation (simulation par Matlab) et expérimentation
(réalisation de la cellule de commutation). La variation des paramètres influe sur la
commutions ont été également traités. Les résultats obtenus par la modélisation sont en bon
accord avec les résultats expérimentaux. Où nous avons obtenu que la variation des Rg, E et
Ic influe sur les séquences de commutation |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8671 |
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