
Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs [texte imprimé] / Ouassila Benzaoui ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 2001 . - 96 f. 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre)
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