Conception assistée par ordinateur des circuits à transistors mesfet Ga As, grille schollky / Med Salah Benbouza

Public ISBD Titre : Conception assistée par ordinateur des circuits à transistors mesfet Ga As, grille schollky : Modélisation Type de document : texte imprimé Auteurs : Med Salah Benbouza ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 1993 Importance : 113 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor  Circuit  Conception assistée par ordinateur Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2357 Conception assistée par ordinateur des circuits à transistors mesfet Ga As, grille schollky : Modélisation [texte imprimé] / Med Salah Benbouza ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 1993 . - 113 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor  Circuit  Conception assistée par ordinateur Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2357

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Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium / Abdelhadi Belhatem  

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhadi Belhatem ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 1990 Importance : 120 f. Note générale : 3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Champ  Gallium  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BEL2173.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2594 Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium [texte imprimé] / Abdelhadi Belhatem ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 1990 . - 120 f. 3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Champ  Gallium  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BEL2173.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2594

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Dispersion frequentielle des paramétres dans les composants MESFET GaAs / Boudjemaa Bouaouina

Public ISBD Titre : Dispersion frequentielle des paramétres dans les composants MESFET GaAs Type de document : texte imprimé Auteurs : Boudjemaa Bouaouina ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Importance : 89 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Tags : Modèlisation  MEFSET  GaAs  Dispersion frequentielle Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2884 Dispersion frequentielle des paramétres dans les composants MESFET GaAs [texte imprimé] / Boudjemaa Bouaouina ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 2004 . - 89 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Tags : Modèlisation  MEFSET  GaAs  Dispersion frequentielle Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2884

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BOU/4148	BOU/4148	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Elaboration et caractérisation des contacts metal-semiconducteur Al-Si. / Abdeslam Haouam  

Public ISBD Titre : Elaboration et caractérisation des contacts metal-semiconducteur Al-Si. Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdeslam Haouam, Auteur ; C. Kenzai, Directeur de thèse ; A Zamouche, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 1990 Importance : 93 f. Note générale : 1 copie imprime disponible Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/HAOx.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10158 Elaboration et caractérisation des contacts metal-semiconducteur Al-Si. [texte imprimé] / Abdeslam Haouam, Auteur ; C. Kenzai, Directeur de thèse ; A Zamouche, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 1990 . - 93 f. 1 copie imprime disponible Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/HAOx.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10158

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HAO/x	HAO/x	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium / Wassila Aliouat (Née Saidi)  

Public ISBD Titre : Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Wassila Aliouat (Née Saidi) ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 77 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Tags : Simulation  Modélisation  GaAs  MESFET Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/ALI4475.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3561 Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium [texte imprimé] / Wassila Aliouat (Née Saidi) ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 2006 . - 77 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Tags : Simulation  Modélisation  GaAs  MESFET Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/ALI4475.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3561

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ALI/4475	ALI/4475	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude de transistors bipolaires à émetteur poly silicium autoaligné réalisés en technologie CMOS / Saida Lassoued

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Influence des paramètres physiques et géométriques sur les propriétés statiques du transistor mesfet GaAs / Samir Bouzina

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Modèlisation bidimensionnelle des composants à effet de champ / Mourad Zaabat

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Modélisation et simulation des transistors mesfet Ga AS / SaÐdeddine Khemissi

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Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs / Ouassila Benzaoui

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Propriétés statiques et dynamiques du MESFET GaAs / Yasmina Saidi

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Simulation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium MESFET GaAs / Souad Belhour  

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Le Transfert à l'effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium.<< Propriétés statiques et dynamiques>> / Chahrazed Kaddour

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