Détail de l'auteur
Auteur S. Latreche |
Documents disponibles écrits par cet auteur (6)
Affiner la recherche Interroger des sources externesContribution à l'amélioration de la résolution en profondeur lors de l'analyse SIMS par des techniques de traitement du signal. / Fayçal Boulsina
Titre : Contribution à l'amélioration de la résolution en profondeur lors de l'analyse SIMS par des techniques de traitement du signal. Type de document : texte imprimé Auteurs : Fayçal Boulsina, Auteur ; S. Latreche, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2009 Importance : 164 f. Format : 30 cm. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semiconducteurs Régularisation SIMS Déconvolution Résolution en profondeur Filtrage microélectronique depth resolution deconvolution regularization filtering microelectronic Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The improvement of the depth resolution of Secondary Ions Mass Spectrometry (SIMS) analysis for the actual needs of microelectronics is necessary. In this work, we chose to improve the depth resolution by signal processing techniques, in particular the deconvolution. A deconvolution technique is proposed. It is able to produce regular solutions similar to those obtained by Van Cittert with Tikhonov-Miller regularization and hard constraints algorithm (algorithm already proved its effectiveness in SIMS) with a faster convergence. Moreover, by using the proposed algorithm the gains in depth resolution and in maximum are better than those achieved using the algorithm of Van Cittert regularized and constrained. Techniques to overcome the limits of the partial deconvolution procedure are also proposed. It was shown that the amplification of the
noise can be controlled by filtering the measured profile before the application of the deconvolution or by applying the partial deconvolution procedure through Tikhonov-Miller regularization. The two problems amplification of the noise and appearance of negative values in the deconvolved profiles can be treated by using iterative methods.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU5381.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2828 Contribution à l'amélioration de la résolution en profondeur lors de l'analyse SIMS par des techniques de traitement du signal. [texte imprimé] / Fayçal Boulsina, Auteur ; S. Latreche, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2009 . - 164 f. ; 30 cm.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semiconducteurs Régularisation SIMS Déconvolution Résolution en profondeur Filtrage microélectronique depth resolution deconvolution regularization filtering microelectronic Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The improvement of the depth resolution of Secondary Ions Mass Spectrometry (SIMS) analysis for the actual needs of microelectronics is necessary. In this work, we chose to improve the depth resolution by signal processing techniques, in particular the deconvolution. A deconvolution technique is proposed. It is able to produce regular solutions similar to those obtained by Van Cittert with Tikhonov-Miller regularization and hard constraints algorithm (algorithm already proved its effectiveness in SIMS) with a faster convergence. Moreover, by using the proposed algorithm the gains in depth resolution and in maximum are better than those achieved using the algorithm of Van Cittert regularized and constrained. Techniques to overcome the limits of the partial deconvolution procedure are also proposed. It was shown that the amplification of the
noise can be controlled by filtering the measured profile before the application of the deconvolution or by applying the partial deconvolution procedure through Tikhonov-Miller regularization. The two problems amplification of the noise and appearance of negative values in the deconvolved profiles can be treated by using iterative methods.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU5381.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2828 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/5381 BOU/5381 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l’étude de perturbations électromagnétiques sur des composants MOS en Utilisant la méthode FDTD Type de document : texte imprimé Auteurs : Samir Labiod, Auteur ; S. Latreche, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2013 Importance : 131 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor MOS Modèle de dérive-diffusion Equations de Maxwell La méthode de Gummel La méthode LE-FDTD MOS Transistor Drift-diffusion model Maxwell’s equations Gummel’s method LE-FDTD method ترانزستور MOS نموذج الاشتقاق و الانتشار معادلات ماكسویل طریقة Gummel طریقة LE-.FDTD Index. décimale : 621 Electronique Résumé : The steady reduction in the size of MOS transistors leads to low electrical power consumption and very high cutoff frequencies. These performances make them attractive for microwave applications.
This work is focused on the study of 0.55 μm CMOS technology skills for microwave applications up to 50 GHz.
The modeling of the MOS transistor is made using a two-dimensional simulation code developed with MATLAB software. This program is based on the Gummel algorithm for the sequential solving of the semiconductor equations which are discretized by Backward-Euler scheme in spatial and temporal domains.
We proposed also a coupling method that allows studying the MOS transistor functioning with a global electromagnetic analysis in the time domain using LE-FDTD in threedimensional space.
The S-parameters and the internal capacities of the MOS transistor are calculated and plotted for different harmonics, and also other important parameters such as the transition frequency, the maximum oscillation frequency, the stability factor and the noise factor.
In the other hand, we studied the sub-circuit functioning of the MOS transistor in microwave taking into account the effect of the interconnections (transmission lines, via ...).
The comparison of the results obtained by our model with those given by commercial software (SENTAUSUS and HFSS) raises the validity and the reliability of the proposed model.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/LAB6352.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6325 Contribution à l’étude de perturbations électromagnétiques sur des composants MOS en Utilisant la méthode FDTD [texte imprimé] / Samir Labiod, Auteur ; S. Latreche, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2013 . - 131 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor MOS Modèle de dérive-diffusion Equations de Maxwell La méthode de Gummel La méthode LE-FDTD MOS Transistor Drift-diffusion model Maxwell’s equations Gummel’s method LE-FDTD method ترانزستور MOS نموذج الاشتقاق و الانتشار معادلات ماكسویل طریقة Gummel طریقة LE-.FDTD Index. décimale : 621 Electronique Résumé : The steady reduction in the size of MOS transistors leads to low electrical power consumption and very high cutoff frequencies. These performances make them attractive for microwave applications.
This work is focused on the study of 0.55 μm CMOS technology skills for microwave applications up to 50 GHz.
The modeling of the MOS transistor is made using a two-dimensional simulation code developed with MATLAB software. This program is based on the Gummel algorithm for the sequential solving of the semiconductor equations which are discretized by Backward-Euler scheme in spatial and temporal domains.
We proposed also a coupling method that allows studying the MOS transistor functioning with a global electromagnetic analysis in the time domain using LE-FDTD in threedimensional space.
The S-parameters and the internal capacities of the MOS transistor are calculated and plotted for different harmonics, and also other important parameters such as the transition frequency, the maximum oscillation frequency, the stability factor and the noise factor.
In the other hand, we studied the sub-circuit functioning of the MOS transistor in microwave taking into account the effect of the interconnections (transmission lines, via ...).
The comparison of the results obtained by our model with those given by commercial software (SENTAUSUS and HFSS) raises the validity and the reliability of the proposed model.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/LAB6352.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6325 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité LAB/6352 LAB/6352 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l'étude de transistor MOS à oxyde de grille très mince Type de document : texte imprimé Auteurs : Djamil Rechem ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 114 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Modélisation Poisson DG MOSFET Effet de miniaturisation Effet quantique Transport électronique Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2673 Contribution à l'étude de transistor MOS à oxyde de grille très mince [texte imprimé] / Djamil Rechem ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse . - 2010 . - 114 f.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Modélisation Poisson DG MOSFET Effet de miniaturisation Effet quantique Transport électronique Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2673 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité REC/5667 REC/5667 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à la réalisation de fonctions optoélectroniques à base de cristaux photoniques pour les télécommunications Type de document : texte imprimé Auteurs : Mahmoud Riad Beghoul ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2008 Importance : 177 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Implantation ionique Cristaux photoniques Guide E-beam FDTD Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEG5339.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2789 Contribution à la réalisation de fonctions optoélectroniques à base de cristaux photoniques pour les télécommunications [texte imprimé] / Mahmoud Riad Beghoul ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse . - 2008 . - 177 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Implantation ionique Cristaux photoniques Guide E-beam FDTD Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEG5339.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2789 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEG/5339 BEG/5339 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude de composants MOS à oxyde très mince par le logiciel ISE Type de document : texte imprimé Auteurs : Rachida Bensegueni ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 71 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 CDLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Composants MOS Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEN4244.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2747 Etude de composants MOS à oxyde très mince par le logiciel ISE [texte imprimé] / Rachida Bensegueni ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse . - 2005 . - 71 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Composants MOS Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEN4244.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2747 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/4244 BEN/4244 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Permalink
