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Contribution à l'amélioration de la résolution en profondeur lors de l'analyse SIMS par des techniques de traitement du signal. / Fayçal Boulsina
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Titre : Contribution à l'amélioration de la résolution en profondeur lors de l'analyse SIMS par des techniques de traitement du signal. Type de document : texte imprimé Auteurs : Fayçal Boulsina, Auteur ; S. Latreche, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2009 Importance : 164 f. Format : 30 cm. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semiconducteurs Régularisation SIMS Déconvolution Résolution en profondeur Filtrage microélectronique depth resolution deconvolution regularization filtering microelectronic Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The improvement of the depth resolution of Secondary Ions Mass Spectrometry (SIMS) analysis for the actual needs of microelectronics is necessary. In this work, we chose to improve the depth resolution by signal processing techniques, in particular the deconvolution. A deconvolution technique is proposed. It is able to produce regular solutions similar to those obtained by Van Cittert with Tikhonov-Miller regularization and hard constraints algorithm (algorithm already proved its effectiveness in SIMS) with a faster convergence. Moreover, by using the proposed algorithm the gains in depth resolution and in maximum are better than those achieved using the algorithm of Van Cittert regularized and constrained. Techniques to overcome the limits of the partial deconvolution procedure are also proposed. It was shown that the amplification of the
noise can be controlled by filtering the measured profile before the application of the deconvolution or by applying the partial deconvolution procedure through Tikhonov-Miller regularization. The two problems amplification of the noise and appearance of negative values in the deconvolved profiles can be treated by using iterative methods.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU5381.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2828 Contribution à l'amélioration de la résolution en profondeur lors de l'analyse SIMS par des techniques de traitement du signal. [texte imprimé] / Fayçal Boulsina, Auteur ; S. Latreche, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2009 . - 164 f. ; 30 cm.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semiconducteurs Régularisation SIMS Déconvolution Résolution en profondeur Filtrage microélectronique depth resolution deconvolution regularization filtering microelectronic Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The improvement of the depth resolution of Secondary Ions Mass Spectrometry (SIMS) analysis for the actual needs of microelectronics is necessary. In this work, we chose to improve the depth resolution by signal processing techniques, in particular the deconvolution. A deconvolution technique is proposed. It is able to produce regular solutions similar to those obtained by Van Cittert with Tikhonov-Miller regularization and hard constraints algorithm (algorithm already proved its effectiveness in SIMS) with a faster convergence. Moreover, by using the proposed algorithm the gains in depth resolution and in maximum are better than those achieved using the algorithm of Van Cittert regularized and constrained. Techniques to overcome the limits of the partial deconvolution procedure are also proposed. It was shown that the amplification of the
noise can be controlled by filtering the measured profile before the application of the deconvolution or by applying the partial deconvolution procedure through Tikhonov-Miller regularization. The two problems amplification of the noise and appearance of negative values in the deconvolved profiles can be treated by using iterative methods.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU5381.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2828 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/5381 BOU/5381 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude des parametres physiques qui gouvernent la resolution en profondeur en microsonde ionique / Djallel Mahdi
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Titre : Etude des parametres physiques qui gouvernent la resolution en profondeur en microsonde ionique Type de document : texte imprimé Auteurs : Djallel Mahdi, Auteur ; Abdelhafid Chaabi, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2013 Importance : 76 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : SIMS mixage collisionnel parcours moyen projeté resolution en profoneur collisional mixing mean projected range depth resolution محلل الطيف الكتلي للايونات الثانوية الخلط التصادمي مسقط المسار الوسطي التحليل العمقي Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The physical events results during SIMS analysis produced by the bombardment of the ions on the medium disturb its original constitution; the essential event was the collisional mixing. This work consists in finding the physical parameters associated to the transport of ions in amorphous monoatomic solid bombarded with normally incident at different high dose irradiation. The theoretical formulation is based on linear Boltzman transport equation of ions. This theory allowed to describe these physical parameters in the presence of the collisional mixing, these parameters control the in-depth resolution.
Indeed, this work shows the evolution of the in-depth resolution with various input experimental parameters (ion beam nature, energy, dose and the target nature) for got good working conditions of optimized analysis, so to lead a better in-depth resolution.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/MAH6460.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9507 Etude des parametres physiques qui gouvernent la resolution en profondeur en microsonde ionique [texte imprimé] / Djallel Mahdi, Auteur ; Abdelhafid Chaabi, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2013 . - 76 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : SIMS mixage collisionnel parcours moyen projeté resolution en profoneur collisional mixing mean projected range depth resolution محلل الطيف الكتلي للايونات الثانوية الخلط التصادمي مسقط المسار الوسطي التحليل العمقي Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The physical events results during SIMS analysis produced by the bombardment of the ions on the medium disturb its original constitution; the essential event was the collisional mixing. This work consists in finding the physical parameters associated to the transport of ions in amorphous monoatomic solid bombarded with normally incident at different high dose irradiation. The theoretical formulation is based on linear Boltzman transport equation of ions. This theory allowed to describe these physical parameters in the presence of the collisional mixing, these parameters control the in-depth resolution.
Indeed, this work shows the evolution of the in-depth resolution with various input experimental parameters (ion beam nature, energy, dose and the target nature) for got good working conditions of optimized analysis, so to lead a better in-depth resolution.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/MAH6460.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9507 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAH/6460 MAH/6460 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Documents numériques
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