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'Implantation ionique' 
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Titre : Etude de comportement des ions Sb+ implantés dans Si (100) et Si (111) Type de document : texte imprimé Auteurs : Zahia Chafi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Halimi, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 101 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique RBS Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2978 Etude de comportement des ions Sb+ implantés dans Si (100) et Si (111) [texte imprimé] / Zahia Chafi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Halimi, Directeur de thèse . - 2001 . - 101 f.
1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique RBS Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2978 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CHA/3513 CHA/3513 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l’étude de l’implantation des ions de carbone dans le silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Amar Bouguerra, Auteur Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2016 Importance : 140 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : carbone silicium implantation ionique Trim Ctystal-Trim carbon silicon ion implantation Crystal Trim الكربون السلسيوم الغرس الأيوني Index. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, we studied the ion implantation of carbon in silicon by simulation and experimentally. Several phenomena related to carbon implantation in Si (100) were simulated using two codes: Trim and Crystal Trim.
Experimentally, the samples were prepared by implanting carbon into silicon wafers with an implantation energy of 70 keV C+ to fluences of 11016 C+ cm-2 and 11017 C+ cm-2 (for a tilt angle of 7°).The implanted wafers were annealed at different temperatures (875 ° C, 1000 °C and 1250 °C). The characterization of the samples was performed using three techniques:
secondary ion masse spectroscopy (SIMS), Raman spectroscopy and Vickers hardness test.
In the simulation part, we determined several parameters related to the distribution profiles of the implanted ions. We also studied the effect of implantation parameters (such as energy, fluence, tilt angle and orientation of the substrate) on the distribution profiles.
SIMS measurements provided us the experimental distribution profiles of implanted ions. The effect of post-annealing treatment was also studied by this technique.
The analysis by Raman spectroscopy was very useful to study the damage and recrystallization of implanted targets. We were able to determine the rate of damage of the implanted areas. We also studied the effect of thermal annealing on the restoration of defects.
Finally, the Vickers micro-hardness test allowed us to study the effects of implantation and thermal annealing on the hardness of the implanted substrates. The hardness decreased considerably after ion implantation (due to amorphization of the implanted zones) and increased significantly after thermal annealing
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BOU6969.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10367 Contribution à l’étude de l’implantation des ions de carbone dans le silicium [texte imprimé] / Amar Bouguerra, Auteur . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2016 . - 140 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
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PhysiqueTags : carbone silicium implantation ionique Trim Ctystal-Trim carbon silicon ion implantation Crystal Trim الكربون السلسيوم الغرس الأيوني Index. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, we studied the ion implantation of carbon in silicon by simulation and experimentally. Several phenomena related to carbon implantation in Si (100) were simulated using two codes: Trim and Crystal Trim.
Experimentally, the samples were prepared by implanting carbon into silicon wafers with an implantation energy of 70 keV C+ to fluences of 11016 C+ cm-2 and 11017 C+ cm-2 (for a tilt angle of 7°).The implanted wafers were annealed at different temperatures (875 ° C, 1000 °C and 1250 °C). The characterization of the samples was performed using three techniques:
secondary ion masse spectroscopy (SIMS), Raman spectroscopy and Vickers hardness test.
In the simulation part, we determined several parameters related to the distribution profiles of the implanted ions. We also studied the effect of implantation parameters (such as energy, fluence, tilt angle and orientation of the substrate) on the distribution profiles.
SIMS measurements provided us the experimental distribution profiles of implanted ions. The effect of post-annealing treatment was also studied by this technique.
The analysis by Raman spectroscopy was very useful to study the damage and recrystallization of implanted targets. We were able to determine the rate of damage of the implanted areas. We also studied the effect of thermal annealing on the restoration of defects.
Finally, the Vickers micro-hardness test allowed us to study the effects of implantation and thermal annealing on the hardness of the implanted substrates. The hardness decreased considerably after ion implantation (due to amorphization of the implanted zones) and increased significantly after thermal annealing
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BOU6969.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10367 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/6969 BOU/6969 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude de couches minces de silicium implantées à l’antimoine ou l’arsenic Type de document : texte imprimé Auteurs : Hassan Guendouz, Auteur ; R. Labbani, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2014 Importance : 121 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium antimoine arsenic implantation ionique RBS simulation RBX microdureté de Knoop Silicon antimony ion implantation RBX simulation Knoop
micro-hardness السيليكون الأنتيمون الزرنيخ الرزع الشاردي المحاكاة RBX قساوة Knoop المجهريةIndex. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, the ion implantation of antimony or arsenic in silicon specimens was investigated. This study was based on the simulation of experimental RBS spectra by RBX code and the measurement of Knoop micro-hardness.
Experimentally, the samples which were characterized by RBS and simulated by RBX are the virgin single crystal silicon Si(111) and the doped single crystal silicon Si(111) by antimony ions with a dose of for an energy of . Those which were characterized by the Knoop test are, in one hand, the single crystal silicon Si(111) wafers which are doped by antimony ions with a dose of for an energy of
. On the other hand, they are the other single crystal silicon Si(111) samples which are doped by arsenic ions with a dose of for an energy of . A conventional thermal annealing under vacuum for thirty minutes was applied at 900 °C during 30 minutes Regarding to the characterization of thin films, the wafers which are un-implanted or implanted by antimony with a dose of were analyzed by the RBS
technique with both random and channeling mode. The other implanted specimens by antimony or arsenic with doses of or respectively were analyzed by Knoop micro-hardness test. All the doped samples were characterized before and after the thermal annealing. This characterization revealed the caused damages,
their restoration and their influence on the surface hardening.
The RBX simulation of RBS spectra in both random and channeled mode allowed us to estimate the ion implantation parameters, these parameters are agreed with those which were found by SRIM 2013 simulation and those which were calculated empirically. Furthermore, the defect concentration profile has been obtained.
Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/GUE6749.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9866 Etude de couches minces de silicium implantées à l’antimoine ou l’arsenic [texte imprimé] / Hassan Guendouz, Auteur ; R. Labbani, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2014 . - 121 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
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Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium antimoine arsenic implantation ionique RBS simulation RBX microdureté de Knoop Silicon antimony ion implantation RBX simulation Knoop
micro-hardness السيليكون الأنتيمون الزرنيخ الرزع الشاردي المحاكاة RBX قساوة Knoop المجهريةIndex. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, the ion implantation of antimony or arsenic in silicon specimens was investigated. This study was based on the simulation of experimental RBS spectra by RBX code and the measurement of Knoop micro-hardness.
Experimentally, the samples which were characterized by RBS and simulated by RBX are the virgin single crystal silicon Si(111) and the doped single crystal silicon Si(111) by antimony ions with a dose of for an energy of . Those which were characterized by the Knoop test are, in one hand, the single crystal silicon Si(111) wafers which are doped by antimony ions with a dose of for an energy of
. On the other hand, they are the other single crystal silicon Si(111) samples which are doped by arsenic ions with a dose of for an energy of . A conventional thermal annealing under vacuum for thirty minutes was applied at 900 °C during 30 minutes Regarding to the characterization of thin films, the wafers which are un-implanted or implanted by antimony with a dose of were analyzed by the RBS
technique with both random and channeling mode. The other implanted specimens by antimony or arsenic with doses of or respectively were analyzed by Knoop micro-hardness test. All the doped samples were characterized before and after the thermal annealing. This characterization revealed the caused damages,
their restoration and their influence on the surface hardening.
The RBX simulation of RBS spectra in both random and channeled mode allowed us to estimate the ion implantation parameters, these parameters are agreed with those which were found by SRIM 2013 simulation and those which were calculated empirically. Furthermore, the defect concentration profile has been obtained.
Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/GUE6749.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9866 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité GUE/6749 GUE/6749 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude des défauts d'irradiation par implantation ionique de Sb dans Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Laicha Baouni ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 90 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Défauts d'irradiation Interaction ion-matière Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/BAO5391.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3413 Etude des défauts d'irradiation par implantation ionique de Sb dans Si [texte imprimé] / Laicha Baouni ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse . - 2009 . - 90 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
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Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Défauts d'irradiation Interaction ion-matière Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/BAO5391.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3413 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BAO/5391 BAO/5391 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude par spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford de l'implantation ionique de Sb+ dans Si.Effet de l'orientation du détecteur sur les spectrs obtenus / Rachida Nouri
Titre : Etude par spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford de l'implantation ionique de Sb+ dans Si.Effet de l'orientation du détecteur sur les spectrs obtenus Type de document : texte imprimé Auteurs : Rachida Nouri ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 118 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford Détecteurs Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/NOU5764.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3556 Etude par spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford de l'implantation ionique de Sb+ dans Si.Effet de l'orientation du détecteur sur les spectrs obtenus [texte imprimé] / Rachida Nouri ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse . - 2010 . - 118 f.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD
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PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford Détecteurs Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/NOU5764.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3556 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité NOU/5764 NOU/5764 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
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