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Silicium poreux passivé par des nitrures et des oxydes de silicium. / Louardi Remache  

Public ISBD Titre : Silicium poreux passivé par des nitrures et des oxydes de silicium. : Application aux revêtements antiréfléchissants. Type de document : texte imprimé Auteurs : Louardi Remache, Auteur ; AH Mahdjoub, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2011 Importance : 143 f. Format : 31 cm Note générale : Doctorat ès sciences 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Tags : Silicium  le rayonnement solaire  Silicium poreux passivé Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/REM5959.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=5869 Silicium poreux passivé par des nitrures et des oxydes de silicium. : Application aux revêtements antiréfléchissants. [texte imprimé] / Louardi Remache, Auteur ; AH Mahdjoub, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2011 . - 143 f. ; 31 cm. Doctorat ès sciences 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Tags : Silicium  le rayonnement solaire  Silicium poreux passivé Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/REM5959.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=5869

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Etude et simulations numériques des contraintes thérmomécaniques dans le silicium photovoltaique / Amor Benmeddour  

Public ISBD Titre : Etude et simulations numériques des contraintes thérmomécaniques dans le silicium photovoltaique Type de document : texte imprimé Auteurs : Amor Benmeddour ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Salim Meziani, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 114 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Silicium  Interface solide/liquide  Vitesse de tirage  Vitesse de rotation du cristal  Vitesse de rotation du creuset  Contrainte thérmoélastique  Contrainte thermo élasto-plastique Index. décimale : 620 Génie Mécanique En ligne : ../theses/gmecanique/BEN5668.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=690 Etude et simulations numériques des contraintes thérmomécaniques dans le silicium photovoltaique [texte imprimé] / Amor Benmeddour ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Salim Meziani, Directeur de thèse . - 2010 . - 114 f. 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Silicium  Interface solide/liquide  Vitesse de tirage  Vitesse de rotation du cristal  Vitesse de rotation du creuset  Contrainte thérmoélastique  Contrainte thermo élasto-plastique Index. décimale : 620 Génie Mécanique En ligne : ../theses/gmecanique/BEN5668.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=690

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Etude et simulation de phénomènes électro-optique dans les guides d'ondes silicium sur simox / Chahrazad Dridi

Public ISBD Titre : Etude et simulation de phénomènes électro-optique dans les guides d'ondes silicium sur simox Type de document : texte imprimé Auteurs : Chahrazad Dridi ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Farida Hobar, Directeur de thèse Année de publication : 1999 Importance : 100 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Simulation  Onde  Silicium  Simox  Electro-optique Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2476 Etude et simulation de phénomènes électro-optique dans les guides d'ondes silicium sur simox [texte imprimé] / Chahrazad Dridi ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Farida Hobar, Directeur de thèse . - 1999 . - 100 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Simulation  Onde  Silicium  Simox  Electro-optique Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2476

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Etude des propriétés électriques de films de silicium polycristallin élaborés par la technique L. P. C. V. D / Nor-El-Houda Touidjen

Public ISBD Titre : Etude des propriétés électriques de films de silicium polycristallin élaborés par la technique L. P. C. V. D Type de document : texte imprimé Auteurs : Nor-El-Houda Touidjen ; Univ. de Constantine, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 1985 Importance : 88 f. Note générale : 1 Disponible au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Tags : Silicium  Film  Propriétés électriques Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2552 Etude des propriétés électriques de films de silicium polycristallin élaborés par la technique L. P. C. V. D [texte imprimé] / Nor-El-Houda Touidjen ; Univ. de Constantine, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 1985 . - 88 f. 1 Disponible au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Tags : Silicium  Film  Propriétés électriques Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2552

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Etude et modélisation de capteurs de pression piézorésistifs et captifs au silicium / Fouad Kerrour

Public ISBD Titre : Etude et modélisation de capteurs de pression piézorésistifs et captifs au silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Fouad Kerrour ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Hobar, Directeur de thèse Année de publication : 2008 Importance : 193 f. Format : 30 cm Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Silicium  Détection  capteurs de pression  piézorésistifs  capacitifs Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2660 Etude et modélisation de capteurs de pression piézorésistifs et captifs au silicium [texte imprimé] / Fouad Kerrour ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Hobar, Directeur de thèse . - 2008 . - 193 f. ; 30 cm. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Silicium  Détection  capteurs de pression  piézorésistifs  capacitifs Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2660

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Etude et modélisation de capteurs de pression piézorésistifs et captifs au silicium / Fouad Kerrour  

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Etude de la neutralisation des impuretés métalliques par gettering extrinseque dans le silicium / Faycal Ayad  

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Etude et simulation d'un capteur de pression capacitif au silicium / Khalil Merabet  

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Etude de la promotion électronique du potassium sur l'oxydation du silicium par spectroscopie électronique / Idriss Bedja

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Réalisation d'un four à lampes et plasma combinés / Noureddine Boumaiza

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Etude comparative des interactions hydrogène dopant dans la silicium / Abderrezak Lahreche

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Etude de l'effet de l'implantation ionique et du rapide sur l'interaction entre une couche mince de Cr et du silicium mono cristallin / Bouzid Sekiou

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Etude de l'intéraction de l'hydrogène (Diffusion) avec les donneurs Pet As dans le silicium.Comparaison avec le type p. / Boubaker Ben Haoua  

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Contribution à l'étude de l'interaction du silicium avec les éléments; Sb et O / Rebiha Labbani

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Durée de vie des porteurs dans les photopiles solaires au silicium / G. Gasset

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Etude de l'influence de l'orientation du silicium et des recuits thermiques sur la formation de silicium de nickel / Hadda Fiad  

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Diffusion des phonons thermiques dans le silicium dopé au li -p et l i-o et influence de la structure électronique des impuretés / Dominique Fortier

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Étude de l’interaction entre un métal de transition et silicium / Gamra Derafer née Tellouche  

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Etude de couches minces de silicium implantées à l’antimoine ou l’arsenic / Hassan Guendouz  

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Contribution à l’étude de l’implantation des ions de carbone dans le silicium / Amar Bouguerra  

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