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'Silicium' 




Titre : Silicium poreux passivé par des nitrures et des oxydes de silicium. : Application aux revêtements antiréfléchissants. Type de document : texte imprimé Auteurs : Louardi Remache, Auteur ; AH Mahdjoub, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2011 Importance : 143 f. Format : 31 cm Note générale : Doctorat ès sciences
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Silicium le rayonnement solaire Silicium poreux passivé Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/REM5959.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=5869 Silicium poreux passivé par des nitrures et des oxydes de silicium. : Application aux revêtements antiréfléchissants. [texte imprimé] / Louardi Remache, Auteur ; AH Mahdjoub, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2011 . - 143 f. ; 31 cm.
Doctorat ès sciences
2 copies imprimées disponibles
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ElectroniqueTags : Silicium le rayonnement solaire Silicium poreux passivé Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/REM5959.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=5869 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité REM/5959 REM/5959 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Conception de micro-nanocavités à base de cristaux photoniques en silicium et nitrure de silicium en vue d’application en optique intégrée et non linéaire. / Lazhar Kassa-Baghdouche
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Titre : Conception de micro-nanocavités à base de cristaux photoniques en silicium et nitrure de silicium en vue d’application en optique intégrée et non linéaire. Type de document : texte imprimé Auteurs : Lazhar Kassa-Baghdouche, Auteur ; T. Boumaza, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2017 Importance : 152 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Cristaux photoniques planaires Cavit´es optiques PWE-3D FDTD-3D Circuits photoniques intégrés non-linéarités optiques Capteurs optiques Facteur de qualité
(Q) Volume modal (V ) SOI structures hybrides (Si-PS) silicium nitrure de siliciumIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The ability to develop innovative photonic devices enabling the controlling of the flow
of light at the nanoscale, has motivated a growing interest. In particular, planar photonic
crystal cavities (PhCs) based structures are promising candidates for such applications.
The aim of this thesis is to study and design silicon (Si) and silicon nitride (SiN)-based
planar photonic crystal (PhC) micro-nanocavities (planar technology). These cavities were
designed to reduce the radiation losses (improve the quality factor Q) and strong confinement of the light (reduce the mode volume V ). First, we studied the dispersion diagram
of photonic band-gap structures incorporated into a planar optical waveguide. Numerical
models by plane waves (PWE-3D) are developed, the aim is to optimize the geometrical
parameters of lattice of air holes etched in a layer of silicon (Si) or silicon nitride (SiN)
that gives a wide band gap. In order to explore the potential of planar structures to strong
vertical confinement of the light, different configurations were proposed and studied to
determine the impact of symmetry and refractive index of the cladding on the band-gap.
Next, we study and design micro-nanocavities implemented in a planar photonic crystal
surrounded with various high and low refractive index cladding materials. Such structures
can be used both in integrated and non linear optics. We have shown theoretically that,
at the wavelength scale, the physics of light confinement in the vertical direction is substantially controlled by the geometry of the surrounding (bottom and top) claddings. We
have also studied and designed hybrid (Si-PS) and silicon nitride (SiN) cavities realized
in planar PhC suspended on a silicon-on-insulator substrate (SOI). Such cavities show
efficient nonlinear optical properties. The design of the proposed cavities is based on an
engineering technique of defect which consists of tuning the position and radius of the lateral, upper, and lower boundary holes near the cavity edge. This technique allows to give
a gradual change of the envelope function of the electric field at the edges of the cavity.
This latter allows to minimizes the radiative component in the light cone and reduce the
optical loss in the vertical direction. Interesting and important results are reported for the
design of cavities with high (Q/V ). Furthermore, the small perturbations theory enables
to determine the shift of the resonant wavelength of the proposed cavities induced by a
small change of the dielectric constant of the order of 10−4. The optical sensitivity of the
optimized cavities was studied and discussed in the case of the presence of different gaseous
environments and temperature change. Due to their high quality factor and small mode
volume, we have shown that the optimized cavities are well suited for the design of Gas
and temperature sensor operating both in the visible and mid-infrared range.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/KAS7063.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=10538 Conception de micro-nanocavités à base de cristaux photoniques en silicium et nitrure de silicium en vue d’application en optique intégrée et non linéaire. [texte imprimé] / Lazhar Kassa-Baghdouche, Auteur ; T. Boumaza, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2017 . - 152 f. ; 30 cm.
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ElectroniqueTags : Cristaux photoniques planaires Cavit´es optiques PWE-3D FDTD-3D Circuits photoniques intégrés non-linéarités optiques Capteurs optiques Facteur de qualité
(Q) Volume modal (V ) SOI structures hybrides (Si-PS) silicium nitrure de siliciumIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The ability to develop innovative photonic devices enabling the controlling of the flow
of light at the nanoscale, has motivated a growing interest. In particular, planar photonic
crystal cavities (PhCs) based structures are promising candidates for such applications.
The aim of this thesis is to study and design silicon (Si) and silicon nitride (SiN)-based
planar photonic crystal (PhC) micro-nanocavities (planar technology). These cavities were
designed to reduce the radiation losses (improve the quality factor Q) and strong confinement of the light (reduce the mode volume V ). First, we studied the dispersion diagram
of photonic band-gap structures incorporated into a planar optical waveguide. Numerical
models by plane waves (PWE-3D) are developed, the aim is to optimize the geometrical
parameters of lattice of air holes etched in a layer of silicon (Si) or silicon nitride (SiN)
that gives a wide band gap. In order to explore the potential of planar structures to strong
vertical confinement of the light, different configurations were proposed and studied to
determine the impact of symmetry and refractive index of the cladding on the band-gap.
Next, we study and design micro-nanocavities implemented in a planar photonic crystal
surrounded with various high and low refractive index cladding materials. Such structures
can be used both in integrated and non linear optics. We have shown theoretically that,
at the wavelength scale, the physics of light confinement in the vertical direction is substantially controlled by the geometry of the surrounding (bottom and top) claddings. We
have also studied and designed hybrid (Si-PS) and silicon nitride (SiN) cavities realized
in planar PhC suspended on a silicon-on-insulator substrate (SOI). Such cavities show
efficient nonlinear optical properties. The design of the proposed cavities is based on an
engineering technique of defect which consists of tuning the position and radius of the lateral, upper, and lower boundary holes near the cavity edge. This technique allows to give
a gradual change of the envelope function of the electric field at the edges of the cavity.
This latter allows to minimizes the radiative component in the light cone and reduce the
optical loss in the vertical direction. Interesting and important results are reported for the
design of cavities with high (Q/V ). Furthermore, the small perturbations theory enables
to determine the shift of the resonant wavelength of the proposed cavities induced by a
small change of the dielectric constant of the order of 10−4. The optical sensitivity of the
optimized cavities was studied and discussed in the case of the presence of different gaseous
environments and temperature change. Due to their high quality factor and small mode
volume, we have shown that the optimized cavities are well suited for the design of Gas
and temperature sensor operating both in the visible and mid-infrared range.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/KAS7063.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=10538 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KAS/7063 KAS/7063 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l’étude de l’implantation des ions de carbone dans le silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Amar Bouguerra, Auteur Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2016 Importance : 140 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : carbone silicium implantation ionique Trim Ctystal-Trim carbon silicon ion implantation Crystal Trim الكربون السلسيوم الغرس الأيوني Index. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, we studied the ion implantation of carbon in silicon by simulation and experimentally. Several phenomena related to carbon implantation in Si (100) were simulated using two codes: Trim and Crystal Trim.
Experimentally, the samples were prepared by implanting carbon into silicon wafers with an implantation energy of 70 keV C+ to fluences of 11016 C+ cm-2 and 11017 C+ cm-2 (for a tilt angle of 7°).The implanted wafers were annealed at different temperatures (875 ° C, 1000 °C and 1250 °C). The characterization of the samples was performed using three techniques:
secondary ion masse spectroscopy (SIMS), Raman spectroscopy and Vickers hardness test.
In the simulation part, we determined several parameters related to the distribution profiles of the implanted ions. We also studied the effect of implantation parameters (such as energy, fluence, tilt angle and orientation of the substrate) on the distribution profiles.
SIMS measurements provided us the experimental distribution profiles of implanted ions. The effect of post-annealing treatment was also studied by this technique.
The analysis by Raman spectroscopy was very useful to study the damage and recrystallization of implanted targets. We were able to determine the rate of damage of the implanted areas. We also studied the effect of thermal annealing on the restoration of defects.
Finally, the Vickers micro-hardness test allowed us to study the effects of implantation and thermal annealing on the hardness of the implanted substrates. The hardness decreased considerably after ion implantation (due to amorphization of the implanted zones) and increased significantly after thermal annealing
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BOU6969.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=10367 Contribution à l’étude de l’implantation des ions de carbone dans le silicium [texte imprimé] / Amar Bouguerra, Auteur . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2016 . - 140 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : carbone silicium implantation ionique Trim Ctystal-Trim carbon silicon ion implantation Crystal Trim الكربون السلسيوم الغرس الأيوني Index. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, we studied the ion implantation of carbon in silicon by simulation and experimentally. Several phenomena related to carbon implantation in Si (100) were simulated using two codes: Trim and Crystal Trim.
Experimentally, the samples were prepared by implanting carbon into silicon wafers with an implantation energy of 70 keV C+ to fluences of 11016 C+ cm-2 and 11017 C+ cm-2 (for a tilt angle of 7°).The implanted wafers were annealed at different temperatures (875 ° C, 1000 °C and 1250 °C). The characterization of the samples was performed using three techniques:
secondary ion masse spectroscopy (SIMS), Raman spectroscopy and Vickers hardness test.
In the simulation part, we determined several parameters related to the distribution profiles of the implanted ions. We also studied the effect of implantation parameters (such as energy, fluence, tilt angle and orientation of the substrate) on the distribution profiles.
SIMS measurements provided us the experimental distribution profiles of implanted ions. The effect of post-annealing treatment was also studied by this technique.
The analysis by Raman spectroscopy was very useful to study the damage and recrystallization of implanted targets. We were able to determine the rate of damage of the implanted areas. We also studied the effect of thermal annealing on the restoration of defects.
Finally, the Vickers micro-hardness test allowed us to study the effects of implantation and thermal annealing on the hardness of the implanted substrates. The hardness decreased considerably after ion implantation (due to amorphization of the implanted zones) and increased significantly after thermal annealing
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BOU6969.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=10367 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/6969 BOU/6969 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l'étude de l'interaction du silicium avec les éléments; Sb et O : Cr, P Type de document : texte imprimé Auteurs : Rebiha Labbani ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Halimi, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 146 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium CrSi2 Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3168 Contribution à l'étude de l'interaction du silicium avec les éléments; Sb et O : Cr, P [texte imprimé] / Rebiha Labbani ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Halimi, Directeur de thèse . - 2003 . - 146 f.
1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium CrSi2 Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3168 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité LAB/3868 LAB/3868 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Diffusion des phonons thermiques dans le silicium dopé au li -p et l i-o et influence de la structure électronique des impuretés / Dominique Fortier
Titre : Diffusion des phonons thermiques dans le silicium dopé au li -p et l i-o et influence de la structure électronique des impuretés Type de document : texte imprimé Auteurs : Dominique Fortier ; Université de Paris, Éditeur scientifique ; H.J. Albany, Directeur de thèse Année de publication : 1974 Importance : 127 f. Note générale : 1 Disponible au magazin de la B.U.C. Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ChimieTags : Silicium Impureté Phonon thermique Index. décimale : 540 Chimie et sciences connexes Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3920 Diffusion des phonons thermiques dans le silicium dopé au li -p et l i-o et influence de la structure électronique des impuretés [texte imprimé] / Dominique Fortier ; Université de Paris, Éditeur scientifique ; H.J. Albany, Directeur de thèse . - 1974 . - 127 f.
1 Disponible au magazin de la B.U.C.
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ChimieTags : Silicium Impureté Phonon thermique Index. décimale : 540 Chimie et sciences connexes Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3920 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire PermalinkPermalinkPermalinkPermalinkEtude de l'effet de l'implantation ionique et du rapide sur l'interaction entre une couche mince de Cr et du silicium mono cristallin / Bouzid Sekiou
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PermalinkPermalinkEtude de l'intéraction de l'hydrogène (Diffusion) avec les donneurs Pet As dans le silicium.Comparaison avec le type p. / Boubaker Ben Haoua
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PermalinkPermalinkPermalinkEtude de la neutralisation des impuretés métalliques par gettering extrinseque dans le silicium / Faycal Ayad
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