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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesEtude de l'impact de la végétation naturelle sur l'interception, le transfert et la mobilité du plomb et du nickel dans les sols pollués d'El-Hadjar, Wilaya d'Annaba
Titre : Etude de l'impact de la végétation naturelle sur l'interception, le transfert et la mobilité du plomb et du nickel dans les sols pollués d'El-Hadjar, Wilaya d'Annaba Type de document : texte imprimé Auteurs : Université Mentouri, Editeur scientifique Année de publication : 2002 Importance : 87f. Note générale : 02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
01 disponible à la salle de rechercheLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
BiologieTags : Algérie Sol Annaba (Algérie) Plomb Nickel Végétation naturelle Mobilité El-Hadjar (Algérie) Index. décimale : 570 Sciences de la vie. Biologie Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=1561 Etude de l'impact de la végétation naturelle sur l'interception, le transfert et la mobilité du plomb et du nickel dans les sols pollués d'El-Hadjar, Wilaya d'Annaba [texte imprimé] / Université Mentouri, Editeur scientifique . - 2002 . - 87f.
02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
01 disponible à la salle de recherche
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
BiologieTags : Algérie Sol Annaba (Algérie) Plomb Nickel Végétation naturelle Mobilité El-Hadjar (Algérie) Index. décimale : 570 Sciences de la vie. Biologie Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=1561 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KRI/3778 KRI/3778 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible 
Titre : Contribution à l’étude du transport électrique à travers des oxydes très minces (<10nm) dans des structures MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Rachida Bensegueni, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2016 Importance : 166 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Microelectronic down-scaling strained Si channel high-k dielectric mobility gate leakage currents direct tunneling current Microélectronique miniaturisation MOSFET Silicium contraint diélectrique haute
permittivité mobilité courants de fuites courant tunnel direct ???????????? ???????? ??????? ????????? ???????? ?????? ?????? ?????? ???? ???????? ?????? ?????????? ???????? ???? ?????Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The continuous down-scaling of MOS transistors dimensions over the last years allowed a significant revolution in the semiconductor industry. However, in order to maintain this trend, shrinking of conventional n MOS dimensions is no more sufficient enough and replacement of some transistor materials is one of the alternative ways currently under study to solve this issue. In this context, the work presented here, on the study of the transport properties of the nMOS architectures combining both new technology options; a high-k gate dielectric in place of the SiO2 and a biaxialy tensile strained channel.
Firstly, the influence of biaxial tensile strain on the electrical properties of the n-MOS transistor has been investigated using a numerical solution of drift diffusion partial equations.
The simulation results showed a significant improvement in electrons mobility and an increase in current ID (VD).
Then, we study the impact of the incorporation of a high-k gate stack on improving leakage through the oxide. The calculation results obtained from the ATLAS (SILVACOTCAD) simulator have shown that the use of high dielectric constant oxides significantly reduces the tunneling leakage current through increased physical thickness of the stack.
However, we noted a decrease of the electron mobility in the channel If MOS transistors with a high-k dielectric HfO2 hafnium relative to SiO2 Finally, the feasibility and interest to introduce a strained silicon channel to counteract the degradation of mobility associated with stacking metal / HfO2 are then discussed.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEN6980.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=10415 Contribution à l’étude du transport électrique à travers des oxydes très minces (<10nm) dans des structures MOS [texte imprimé] / Rachida Bensegueni, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse . - 2016 . - 166 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Microelectronic down-scaling strained Si channel high-k dielectric mobility gate leakage currents direct tunneling current Microélectronique miniaturisation MOSFET Silicium contraint diélectrique haute
permittivité mobilité courants de fuites courant tunnel direct ???????????? ???????? ??????? ????????? ???????? ?????? ?????? ?????? ???? ???????? ?????? ?????????? ???????? ???? ?????Index. décimale : 621 Electronique Résumé :
The continuous down-scaling of MOS transistors dimensions over the last years allowed a significant revolution in the semiconductor industry. However, in order to maintain this trend, shrinking of conventional n MOS dimensions is no more sufficient enough and replacement of some transistor materials is one of the alternative ways currently under study to solve this issue. In this context, the work presented here, on the study of the transport properties of the nMOS architectures combining both new technology options; a high-k gate dielectric in place of the SiO2 and a biaxialy tensile strained channel.
Firstly, the influence of biaxial tensile strain on the electrical properties of the n-MOS transistor has been investigated using a numerical solution of drift diffusion partial equations.
The simulation results showed a significant improvement in electrons mobility and an increase in current ID (VD).
Then, we study the impact of the incorporation of a high-k gate stack on improving leakage through the oxide. The calculation results obtained from the ATLAS (SILVACOTCAD) simulator have shown that the use of high dielectric constant oxides significantly reduces the tunneling leakage current through increased physical thickness of the stack.
However, we noted a decrease of the electron mobility in the channel If MOS transistors with a high-k dielectric HfO2 hafnium relative to SiO2 Finally, the feasibility and interest to introduce a strained silicon channel to counteract the degradation of mobility associated with stacking metal / HfO2 are then discussed.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEN6980.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=10415 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/6980 BEN/6980 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude et conception du mode de conduction courant-tension pour un transistor à base de polysilicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelali Diabi ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Importance : 82 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 DisquetteLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Mobilité Silicium polycristallin LPCVD Transistor en couches minces TFT à base de polysilicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2269 Etude et conception du mode de conduction courant-tension pour un transistor à base de polysilicium [texte imprimé] / Abdelali Diabi ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2004 . - 82 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 Disquette
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Mobilité Silicium polycristallin LPCVD Transistor en couches minces TFT à base de polysilicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2269 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DIA/4250 DIA/4250 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Place et role des villes satellites de Sidi Amar, El Bouni et El Hadjar dans l'organisation de l'espace Annabi Type de document : texte imprimé Auteurs : Bahia Kebir ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Abdelouaheb Lekehal, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 185 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
Architecture et UrbanismeTags : Autonomie Algérie Mobilité Villes satellites Annaba Périurbanisation Report de croissance Migrations alternantes Dépendance Décentralisation Recomposition Index. décimale : 720 Architecture Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2173 Place et role des villes satellites de Sidi Amar, El Bouni et El Hadjar dans l'organisation de l'espace Annabi [texte imprimé] / Bahia Kebir ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Abdelouaheb Lekehal, Directeur de thèse . - 2003 . - 185 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
Architecture et UrbanismeTags : Autonomie Algérie Mobilité Villes satellites Annaba Périurbanisation Report de croissance Migrations alternantes Dépendance Décentralisation Recomposition Index. décimale : 720 Architecture Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2173 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KEB/3994 KEB/3994 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Positron mobility in insulators Type de document : texte imprimé Auteurs : lakhdar Yebdri ; R.N West, Directeur de thèse ; Univ.of East Anglia, Editeur scientifique Année de publication : 1987 Importance : 110 f. Note générale : 01 disponible à la salle de recherche Langues : Anglais (eng) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Mobilité Positron Isolant Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3298 Positron mobility in insulators [texte imprimé] / lakhdar Yebdri ; R.N West, Directeur de thèse ; Univ.of East Anglia, Editeur scientifique . - 1987 . - 110 f.
01 disponible à la salle de recherche
Langues : Anglais (eng)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Mobilité Positron Isolant Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3298 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité YEB/1656 YEB/1656 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
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