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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesApproche quantitative de la spectrométrie Auger appliquée aux ségrégations thermiques et aux couches de passivation / Francis Pons
Titre : Approche quantitative de la spectrométrie Auger appliquée aux ségrégations thermiques et aux couches de passivation Type de document : texte imprimé Auteurs : Francis Pons ; Université de Paris-sud, Editeur scientifique ; A. Michel, Directeur de thèse Année de publication : 1976 Importance : 155 p. Note générale : 01 Disponible au magazin de la B.U.C. Langues : Français (fre) Tags : Passivation Spectrométrie Auger Ségrégations thermiques Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/PON386.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3199 Approche quantitative de la spectrométrie Auger appliquée aux ségrégations thermiques et aux couches de passivation [texte imprimé] / Francis Pons ; Université de Paris-sud, Editeur scientifique ; A. Michel, Directeur de thèse . - 1976 . - 155 p.
01 Disponible au magazin de la B.U.C.
Langues : Français (fre)
Tags : Passivation Spectrométrie Auger Ségrégations thermiques Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/PON386.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3199 Exemplaires
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Titre : Etude des propriétés des couches minces de carbure de silicium amorphe : Application couche antireflet et passivation Type de document : texte imprimé Auteurs : Saloua Merazga, Auteur ; Aissa Keffous, Directeur de thèse ; Kamel Mirouh, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 146 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Tags : carbure de silicium antireflet passivation couche mince silicon carbide antireflection Thin film ????????? ???????? ??????? ???????? ????? ????? ??????? ??????? Index. décimale : 530 Physique Résumé : Thin films of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) are long time used in solar cells based on silicon. Various applications can be considered an example is cited as:
antireflection coating for solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) and dielectric layers for crystalline silicon (c-Si) for surface passivation. These layers have a good optical structural, electrical property and can provide exceptional surface passivation, essentially for crystalline silicon solar cells with high efficiency. This thesis reflects a fundamental study of the properties of the a-SiC: H layers deposited by sputtering and the a-Si1-x (CH3)x:H layers prepared by RF-PECVD. The deposition conditions were optimized in conjunction with the structural characterization, optical, electrical. A high minority carrier lifetime has reached as 121 μs for a 5% carbon content.
In addition, an optical gap can be increased by 1.91 eV to 2.10 eV by varying the deposition temperature and 1.97 to 2.41 eV according to the carbon content with a refractive index (n) adjustable of 1.57 to 2.61. Thin films a-SiC:H with 5% of carbon has been used for passivation of a crystalline silicon solar cell type n+pSi.Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/MER6774.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9836 Etude des propriétés des couches minces de carbure de silicium amorphe : Application couche antireflet et passivation [texte imprimé] / Saloua Merazga, Auteur ; Aissa Keffous, Directeur de thèse ; Kamel Mirouh, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 146 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Tags : carbure de silicium antireflet passivation couche mince silicon carbide antireflection Thin film ????????? ???????? ??????? ???????? ????? ????? ??????? ??????? Index. décimale : 530 Physique Résumé : Thin films of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) are long time used in solar cells based on silicon. Various applications can be considered an example is cited as:
antireflection coating for solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) and dielectric layers for crystalline silicon (c-Si) for surface passivation. These layers have a good optical structural, electrical property and can provide exceptional surface passivation, essentially for crystalline silicon solar cells with high efficiency. This thesis reflects a fundamental study of the properties of the a-SiC: H layers deposited by sputtering and the a-Si1-x (CH3)x:H layers prepared by RF-PECVD. The deposition conditions were optimized in conjunction with the structural characterization, optical, electrical. A high minority carrier lifetime has reached as 121 μs for a 5% carbon content.
In addition, an optical gap can be increased by 1.91 eV to 2.10 eV by varying the deposition temperature and 1.97 to 2.41 eV according to the carbon content with a refractive index (n) adjustable of 1.57 to 2.61. Thin films a-SiC:H with 5% of carbon has been used for passivation of a crystalline silicon solar cell type n+pSi.Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/MER6774.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9836 Exemplaires
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Titre : Etude des polymides en vue de leur utilisation pour circuits multicouches et pour la ptotection localisée des circuits intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Hocine Benalla ; Institut National Polytechnique, Editeur scientifique ; Y. Segui, Directeur de thèse Année de publication : 1984 Importance : 130 f. Note générale : 01 Disponible au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Interface Propriétés électriques des polymères Diélectrique Passivation Encapsulation Diélectrique-semiconducteur Index. décimale : 622 Electro-Technique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/electrotec/BEN1100.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=355 Etude des polymides en vue de leur utilisation pour circuits multicouches et pour la ptotection localisée des circuits intégrés [texte imprimé] / Hocine Benalla ; Institut National Polytechnique, Editeur scientifique ; Y. Segui, Directeur de thèse . - 1984 . - 130 f.
01 Disponible au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Tags : Interface Propriétés électriques des polymères Diélectrique Passivation Encapsulation Diélectrique-semiconducteur Index. décimale : 622 Electro-Technique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/electrotec/BEN1100.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=355 Exemplaires
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Titre : Etude des polymides en vue de leur utilisation pour circuits multicouches et pour la protection localisée des cicuits intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Houcine Bealla ; Institut National Polytechnique, Editeur scientifique ; Y. Segui, Directeur de thèse Année de publication : 1984 Importance : 130 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Interface Propriétés électriques des polymères Diélectrique Passivation Encapsulation Diélectrique-semiconducteur Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2459 Etude des polymides en vue de leur utilisation pour circuits multicouches et pour la protection localisée des cicuits intégrés [texte imprimé] / Houcine Bealla ; Institut National Polytechnique, Editeur scientifique ; Y. Segui, Directeur de thèse . - 1984 . - 130 f.
1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Tags : Interface Propriétés électriques des polymères Diélectrique Passivation Encapsulation Diélectrique-semiconducteur Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2459 Exemplaires
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Titre : Effet de l'hydrogène sur les défauts ponctuels dans CdTe et CdZnTe Type de document : texte imprimé Auteurs : Radia Boudaira ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; K. Guergouri, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 78 f. Note générale : 01 Disponible dans la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Tags : Passivation Polarité Propriétés électriques Propriétés optiques CdTe CdZnTe Hydrogénation Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2948 Effet de l'hydrogène sur les défauts ponctuels dans CdTe et CdZnTe [texte imprimé] / Radia Boudaira ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; K. Guergouri, Directeur de thèse . - 2001 . - 78 f.
01 Disponible dans la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Tags : Passivation Polarité Propriétés électriques Propriétés optiques CdTe CdZnTe Hydrogénation Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2948 Exemplaires
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