Titre :	Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Imad Messai, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2013
Importance :	56 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	Barrière de diffusion  Nickel  silicium  siliciures de nickel  DRX  Raman  MoSi2.
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le but de ce mémoire de master est d’étudier l’effet des barrières de diffusion Mo nanométrique sur la formation et la stabilité thermique des siliciures de nickel formés par réaction à l’état solide entre une couche mince Ni et un substrat Si. Les échantillons Ni/Si(100) et Ni/Mo/Ni/Si(100) sont élaboré à l'aide de la pulvérisation cathodique. L'épaisseur de Ni est fixée à 25 nm et celle Mo varié de 2 à 4 nm. Des recuits thermiques rapides sont effectués entre 250 et 800°C. La caractérisation des échantillons est effectuée principalement à l’aide de la diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité électrique. L’étude montre que le monosiliciure NiSi se forme et croit à 350°C dans le système Ni/Si et à 400°C dans le système Ni/Mo/Ni/Si. NiSi se transforme complètement en ܰ݅ܵ݅ଶ à 800°C dans Ni/Si à la même température il coexiste avec ܰ݅ܵ݅ଶ dans le cas du système Ni/Mo/Ni/Si.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7136

Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si [texte imprimé] / Imad Messai, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 56 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	Barrière de diffusion  Nickel  silicium  siliciures de nickel  DRX  Raman  MoSi2.
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Le but de ce mémoire de master est d’étudier l’effet des barrières de diffusion Mo nanométrique sur la formation et la stabilité thermique des siliciures de nickel formés par réaction à l’état solide entre une couche mince Ni et un substrat Si. Les échantillons Ni/Si(100) et Ni/Mo/Ni/Si(100) sont élaboré à l'aide de la pulvérisation cathodique. L'épaisseur de Ni est fixée à 25 nm et celle Mo varié de 2 à 4 nm. Des recuits thermiques rapides sont effectués entre 250 et 800°C. La caractérisation des échantillons est effectuée principalement à l’aide de la diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité électrique. L’étude montre que le monosiliciure NiSi se forme et croit à 350°C dans le système Ni/Si et à 400°C dans le système Ni/Mo/Ni/Si. NiSi se transforme complètement en ܰ݅ܵ݅ଶ à 800°C dans Ni/Si à la même température il coexiste avec ܰ݅ܵ݅ଶ dans le cas du système Ni/Mo/Ni/Si.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7136