5 recherche sur le tag 'Nickel'   

Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel / Moussa Mezhoud 

Public ISBD Titre : Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 44 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces  nickel  cobalt  siliciures  DRX  MEB. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures 300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus. Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C, suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible résistivité. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134 Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel [texte imprimé] / Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 44 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces  nickel  cobalt  siliciures  DRX  MEB. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures 300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage (MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus. Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C, suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible résistivité. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MSPHY170051	MSPHY170051	Document électronique	Bibliothèque principale	Mémoires	Disponible

Documents numériques

texte intégre Adobe Acrobat PDF

Élaboration et caractérisation des couches minces de l'oxyde de cobalt dopées nickel déposées par la technique spray pyrolyse / wissam Bouhenni 

Public ISBD Titre : Élaboration et caractérisation des couches minces de l'oxyde de cobalt dopées nickel déposées par la technique spray pyrolyse Type de document : texte imprimé Auteurs : wissam Bouhenni, Auteur ; Warda Daranfed, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2021 Importance : 68 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible au BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces  Spray pyrolyse  Co3O4  Nickel  Angle de contact  Transmittance. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail, nous avons préparé et caractérisé des couches minces d'oxyde de cobalt pur et dopées en nickel déposés sur des substrat en verre à une température de 400°C et 5 min comme temps de dépôt par spray pyrolyse. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet de dopage par nickel (2%, 4%, 6% et 8%) sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques de ces films. Les résultats de Raman confirment la présence des cations du Co⁺² situés en sites tétraédriques et Co⁺³ en sites octaédriques, ce qui confirme la structure cubique de type spinelle. L’étude morphologique par MEB et l’angle de contacte ont montré que la surface des films est rugueuse, contient des bulles et des pores pour des faibles concentrations (2%Ni et 4%Ni) qui correspondant la nature hydrophile (< 90°). L’augmentation de taux de nickel de 6% jusqu’à 8% conduit une augmentation de nombre des bulles et la nature devient hydrophobe. La transmittance diminue avec une décroissance de deux gap optiques (Eg1 et Eg2) et les valeurs de E U1 et EU2 augmentent en fonction de %Ni. Une diminution de la résistivité électrique de 18.39 à 0.778 (Ω. cm)-1 pour les films non dopé et dopés 4%Ni, respectivement. Par contre, pour le taux de Ni ≥ 4% la résistivité électrique augmente de 0.778 (Ω. cm)-1 jusqu’à 53.2 (Ω. cm)-1. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15080 Élaboration et caractérisation des couches minces de l'oxyde de cobalt dopées nickel déposées par la technique spray pyrolyse [texte imprimé] / wissam Bouhenni, Auteur ; Warda Daranfed, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2021 . - 68 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces  Spray pyrolyse  Co3O4  Nickel  Angle de contact  Transmittance. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Dans ce travail, nous avons préparé et caractérisé des couches minces d'oxyde de cobalt pur et dopées en nickel déposés sur des substrat en verre à une température de 400°C et 5 min comme temps de dépôt par spray pyrolyse. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet de dopage par nickel (2%, 4%, 6% et 8%) sur les propriétés structurales, morphologiques, optiques et électriques de ces films. Les résultats de Raman confirment la présence des cations du Co⁺² situés en sites tétraédriques et Co⁺³ en sites octaédriques, ce qui confirme la structure cubique de type spinelle. L’étude morphologique par MEB et l’angle de contacte ont montré que la surface des films est rugueuse, contient des bulles et des pores pour des faibles concentrations (2%Ni et 4%Ni) qui correspondant la nature hydrophile (< 90°). L’augmentation de taux de nickel de 6% jusqu’à 8% conduit une augmentation de nombre des bulles et la nature devient hydrophobe. La transmittance diminue avec une décroissance de deux gap optiques (Eg1 et Eg2) et les valeurs de E U1 et EU2 augmentent en fonction de %Ni. Une diminution de la résistivité électrique de 18.39 à 0.778 (Ω. cm)-1 pour les films non dopé et dopés 4%Ni, respectivement. Par contre, pour le taux de Ni ≥ 4% la résistivité électrique augmente de 0.778 (Ω. cm)-1 jusqu’à 53.2 (Ω. cm)-1. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15080

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MSPHY210012	MSPHY210012	Document électronique	Bibliothèque principale	Mémoires	Disponible

Documents numériques

fichier integral Adobe Acrobat PDF

Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si / Imad Messai 

Public ISBD Titre : Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Imad Messai, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2013 Importance : 56 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Barrière de diffusion  Nickel  silicium  siliciures de nickel  DRX  Raman  MoSi2. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce mémoire de master est d’étudier l’effet des barrières de diffusion Mo nanométrique sur la formation et la stabilité thermique des siliciures de nickel formés par réaction à l’état solide entre une couche mince Ni et un substrat Si. Les échantillons Ni/Si(100) et Ni/Mo/Ni/Si(100) sont élaboré à l'aide de la pulvérisation cathodique. L'épaisseur de Ni est fixée à 25 nm et celle Mo varié de 2 à 4 nm. Des recuits thermiques rapides sont effectués entre 250 et 800°C. La caractérisation des échantillons est effectuée principalement à l’aide de la diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité électrique. L’étude montre que le monosiliciure NiSi se forme et croit à 350°C dans le système Ni/Si et à 400°C dans le système Ni/Mo/Ni/Si. NiSi se transforme complètement en ܰ݅ܵ݅ଶ à 800°C dans Ni/Si à la même température il coexiste avec ܰ݅ܵ݅ଶ dans le cas du système Ni/Mo/Ni/Si. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7136 Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si [texte imprimé] / Imad Messai, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 56 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Barrière de diffusion  Nickel  silicium  siliciures de nickel  DRX  Raman  MoSi2. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce mémoire de master est d’étudier l’effet des barrières de diffusion Mo nanométrique sur la formation et la stabilité thermique des siliciures de nickel formés par réaction à l’état solide entre une couche mince Ni et un substrat Si. Les échantillons Ni/Si(100) et Ni/Mo/Ni/Si(100) sont élaboré à l'aide de la pulvérisation cathodique. L'épaisseur de Ni est fixée à 25 nm et celle Mo varié de 2 à 4 nm. Des recuits thermiques rapides sont effectués entre 250 et 800°C. La caractérisation des échantillons est effectuée principalement à l’aide de la diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité électrique. L’étude montre que le monosiliciure NiSi se forme et croit à 350°C dans le système Ni/Si et à 400°C dans le système Ni/Mo/Ni/Si. NiSi se transforme complètement en ܰ݅ܵ݅ଶ à 800°C dans Ni/Si à la même température il coexiste avec ܰ݅ܵ݅ଶ dans le cas du système Ni/Mo/Ni/Si. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7136

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MSPHY130045	MSPHY130045	Document électronique	Bibliothèque principale	Mémoires	Disponible

Documents numériques

texte intégre Adobe Acrobat PDF

Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration / Oussama Meziti 

Public ISBD Titre : Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration Type de document : texte imprimé Auteurs : Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2016 Importance : 58 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces  nickel  cobalt  siliciures  résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons. L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration [texte imprimé] / Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 58 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces  nickel  cobalt  siliciures  résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons. L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MSPHY160031	MSPHY160031	Document électronique	Bibliothèque principale	Mémoires	Disponible

Documents numériques

MSPHY160031.pdf Adobe Acrobat PDF

Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium / Nafaa Benzaid 

Public ISBD Titre : Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 40 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures  cobalt  nickel  DRX  résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là, par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100). Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures. Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique. Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2. Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium [texte imprimé] / Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 40 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures  cobalt  nickel  DRX  résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là, par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100). Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures. Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique. Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2. Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MSPHY170039	MSPHY170039	Document électronique	Bibliothèque principale	Mémoires	Disponible

Documents numériques

texte intégre Adobe Acrobat PDF