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Titre : Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel Type de document : texte imprimé Auteurs : Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 44 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures DRX MEB. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de
couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique
sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du
silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des
traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures
300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage
(MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les
différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus.
Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C,
suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la
température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la
température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un
élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase
NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme
complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de
la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible
résistivité.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134 Effet du cobalt sur la formation de couches minces de siliciures de nickel [texte imprimé] / Moussa Mezhoud, Auteur ; C. Sedrati, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 44 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures DRX MEB. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce travail est d’étudier l’effet de l’addition du cobalt sur la formation de
couches minces de siliciures de nickel, pour cela, on a élaboré par évaporation thermique
sous vide des films minces de type Ni0.75Co0.25 (pourcentage massique) sur un substrat du
silicium Si(100). Afin d’obtenir les différentes phases de siliciures, ces films ont subis des
traitements thermique sous vide dans un four classique dans l’intervalle des températures
300-900 0C. La diffraction des rayons X (DRX), le microscope électronique à balayage
(MEB) et la mesure de la résistivité électrique par la méthode des quatre pointes, sont les
différentes techniques utilisées pour analyser les échantillons obtenus.
Les analyses montrent la formation de la phase Ni2Si à la température de 300°C,
suivi par la formation de monosiliciure de nickel NiSi qui reste stable jusqu’à la
température de 600°C où elle s’agglomère. La formation de la phase NiSi2 a lieu à la
température de 600°C au lieu de 750°C, ce résultat montre que l’ajout du cobalt comme un
élément d’alliage dans le nickel a une influence primordiale sur la formation de la phase
NiSi2 en abaissant sa température de germination. À 700°C la phase NiSi transforme
complètement en disiliciure de nickel NiSi2, qui reste présent à 800°C avec la formation de
la phase CoSi2 et la phase ternaire (CoxNi1-x)Si2 qui sont caractérisées par une faible
résistivité.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8134 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MSPHY170051 MSPHY170051 Document électronique Bibliothèque principale Mémoires Disponible Documents numériques
texte intégreAdobe Acrobat PDFEtude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si / Imad Messai
Titre : Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Imad Messai, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2013 Importance : 56 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Barrière de diffusion Nickel silicium siliciures de nickel DRX Raman MoSi2. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce mémoire de master est d’étudier l’effet des barrières de diffusion Mo
nanométrique sur la formation et la stabilité thermique des siliciures de nickel formés
par réaction à l’état solide entre une couche mince Ni et un substrat Si. Les
échantillons Ni/Si(100) et Ni/Mo/Ni/Si(100) sont élaboré à l'aide de la pulvérisation
cathodique. L'épaisseur de Ni est fixée à 25 nm et celle Mo varié de 2 à 4 nm. Des
recuits thermiques rapides sont effectués entre 250 et 800°C.
La caractérisation des échantillons est effectuée principalement à l’aide de la
diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité
électrique.
L’étude montre que le monosiliciure NiSi se forme et croit à 350°C dans le système
Ni/Si et à 400°C dans le système Ni/Mo/Ni/Si. NiSi se transforme complètement en
ܰ݅ܵ݅ଶ à 800°C dans Ni/Si à la même température il coexiste avec ܰ݅ܵ݅ଶ dans le cas du
système Ni/Mo/Ni/Si.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7136 Etude de la formation des siliciures de nickel dans le système de films minces Ni/Mo/Ni/Si [texte imprimé] / Imad Messai, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 56 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Barrière de diffusion Nickel silicium siliciures de nickel DRX Raman MoSi2. Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le but de ce mémoire de master est d’étudier l’effet des barrières de diffusion Mo
nanométrique sur la formation et la stabilité thermique des siliciures de nickel formés
par réaction à l’état solide entre une couche mince Ni et un substrat Si. Les
échantillons Ni/Si(100) et Ni/Mo/Ni/Si(100) sont élaboré à l'aide de la pulvérisation
cathodique. L'épaisseur de Ni est fixée à 25 nm et celle Mo varié de 2 à 4 nm. Des
recuits thermiques rapides sont effectués entre 250 et 800°C.
La caractérisation des échantillons est effectuée principalement à l’aide de la
diffraction des rayons X (DRX), spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité
électrique.
L’étude montre que le monosiliciure NiSi se forme et croit à 350°C dans le système
Ni/Si et à 400°C dans le système Ni/Mo/Ni/Si. NiSi se transforme complètement en
ܰ݅ܵ݅ଶ à 800°C dans Ni/Si à la même température il coexiste avec ܰ݅ܵ݅ଶ dans le cas du
système Ni/Mo/Ni/Si.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7136 Réservation
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Titre : Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration Type de document : texte imprimé Auteurs : Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2016 Importance : 58 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons.
L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 Elaboration de couches minces d'alliage nico et étude de leur siliciuration [texte imprimé] / Oussama Meziti, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 58 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces nickel cobalt siliciures résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude de la formation des siliciures par réaction à l‟état solide dans le système (Ni0.5-Co0.5)/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits sous vide dans l‟intervalle des températures de 300-900 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), le microscope à force atomique (AFM) et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons.
L‟analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases Co2Si et Ni2Si à 300 °C, la formation de mono siliciure de nickel NiSi et de cobalt CoSi à 400°C, la formation de deux phases ternaires CoxNi1-xSi la première riche en nickel et l‟autre riche en cobalt à 500°C et 600°C respectivement, et finalement la formation de siliciure de CoSi2 à 700°C jusqu‟a 900°C. Ce siliciure est caractérisé par une faible résistivité électrique.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=4324 Réservation
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Titre : Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 40 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures cobalt nickel DRX résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là, par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100).
Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures.
Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique.
Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2.
Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX.
Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Siliciuration de couches minces NiCo déposées sur un substrat de silicium [texte imprimé] / Nafaa Benzaid, Auteur ; Aouati R., Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 40 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Siliciures cobalt nickel DRX résistivité électrique Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Le but de ce travail est d’étudier la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Co0.75Ni0.25/Si(100). On a commencé ce travail-là, par la préparation des échantillons par la méthode d’évaporation thermique sous vide, en évaporant l’alliage Co0.75Ni0.25 sur un substrat de silicium monocristallin d’orientation (100).
Après le dépôt, on a effectué un traitement thermique sous vide des échantillons dans un four classique pour des températures variant de 300 à 900 °C afin de remarquer les différents phénomènes de formation et de croissance de siliciures.
Pour la caractérisation de nos échantillons, on a utilisé principalement la Diffraction des Rayons X (DRX), la méthode des quatre pointes pour les mesures de la résistivité électrique.
Ces méthodes de caractérisation nous ont permis de remarquer les différents siliciures qui apparaissent pour chaque gamme de températures. D’ailleurs, on a constaté l’effet de nickel sur la formation des siliciures de cobalt en se basant sur l’absence de siliciures pour les températures de 300 jusqu’à 400 °C où on a pu remarquer l’apparition du premier siliciure qui est le siliciure riche en cobalt Co2Si. C’est le même résultat pour 500°C. Pour 600 °C, le Co2Si s’est transformé en mono-siliciure CoSi. A 700 °C, c’est le même résultat que 600°C, jusqu’à 800 °C où le di-siliciure CoSi2 est apparaît. A 900 °C, le reste du mono-siliciure CoSi se transforme en di-siliciure CoSi2.
Les mesures de la résistivité par la méthode de quatre pointes ont été en bon accord avec les résultats de DRX.
Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=3565 Réservation
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