Contribution à l'étude des films de Nidos (Nitrogen-doped silcom) en vue de leur application en tant que grille de transistors Mos / Nisrine Benloucif

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des films de Nidos (Nitrogen-doped silcom) en vue de leur application en tant que grille de transistors Mos Type de document : texte imprimé Auteurs : Nisrine Benloucif ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2002 Importance : 93 f. Note générale : 01 Disponible à dans la salle de recherche 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modèle  Conductivité  Nidos  Coefficient de diffusion Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2279 Contribution à l'étude des films de Nidos (Nitrogen-doped silcom) en vue de leur application en tant que grille de transistors Mos [texte imprimé] / Nisrine Benloucif ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2002 . - 93 f. 01 Disponible à dans la salle de recherche 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modèle  Conductivité  Nidos  Coefficient de diffusion Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2279

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BEN/3801	BEN/3801	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Contribution à la modélisation de l'interface isolant / Polysilicim dans une structure MOS / Samira Dib

Public ISBD Titre : Contribution à la modélisation de l'interface isolant / Polysilicim dans une structure MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Samira Dib ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2002 Importance : 83 f. Note générale : 01 disponible dans la salle de recherche 02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Interface  Silicium polycristallin  Bumps  Fowler-Nordheim Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2500 Contribution à la modélisation de l'interface isolant / Polysilicim dans une structure MOS [texte imprimé] / Samira Dib ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2002 . - 83 f. 01 disponible dans la salle de recherche 02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Interface  Silicium polycristallin  Bumps  Fowler-Nordheim Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2500

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DIB/3799	DIB/3799	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude et caractérisation optique de structures bicouches issues de la filière nitrures de silicium / Abdelaziz Beddiaf  

Public ISBD Titre : Etude et caractérisation optique de structures bicouches issues de la filière nitrures de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelaziz Beddiaf ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 74 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BED5360.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2817 Etude et caractérisation optique de structures bicouches issues de la filière nitrures de silicium [texte imprimé] / Abdelaziz Beddiaf ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2009 . - 74 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BED5360.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2817

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BED/5360	BED/5360	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude et conception du mode de conduction courant-tension pour un transistor à base de polysilicium / Abdelali Diabi

Public ISBD Titre : Etude et conception du mode de conduction courant-tension pour un transistor à base de polysilicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelali Diabi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Importance : 82 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale 01 Disquette Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Mobilité  Silicium polycristallin  LPCVD  Transistor en couches minces  TFT à base de polysilicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2269 Etude et conception du mode de conduction courant-tension pour un transistor à base de polysilicium [texte imprimé] / Abdelali Diabi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2004 . - 82 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale 01 Disquette Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Mobilité  Silicium polycristallin  LPCVD  Transistor en couches minces  TFT à base de polysilicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2269

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DIA/4250	DIA/4250	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe / Houcine Karboua

Public ISBD Titre : Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe Type de document : texte imprimé Auteurs : Houcine Karboua ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modèle  Diffusion  Polysilicium  Silicium amorphe  LPCVD  Bore  In-situ Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2386 Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe [texte imprimé] / Houcine Karboua ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2004. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modèle  Diffusion  Polysilicium  Silicium amorphe  LPCVD  Bore  In-situ Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2386

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KAR/4174	KAR/4174	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude par TCAD-SILVACO d'une structure MOS pour la réalisation de capteurs ISFET / Bessem Kaghouche  

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Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS / Hachemi Bouridah  

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Etude des propriétés électriques de films de silicium polycristallin élaborés par la technique L. P. C. V. D / Nor-El-Houda Touidjen

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Etude des propriétés technologiques des films de Si-LPCVD fortement dopés au bore / Salah Abadli

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Etude de la redistribution et de l'activation après traitement thermique des dopants dans des films Si LPCVD dopés bore et codopes bore azote à de fortes concentrations / Ramdane Mahamdi

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Etude de la réponse d'une diode PIN à une irradiation de haute énergie pour son application en dosimétrie clinique / Sabrina Lebied

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Etude de la réponse en termes de sensibilité de linéarité et de stabilité d'une structure à base de semi-conducteur soumise à une irradiation de photons de haute énergie / Sofiane Taleb Hacine

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Influence de la ségrégation du bore et de la formation d'amas sur la diffusion das du polysilicium Lpcvd trés formant dopé / Salah Abadli

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Modélisation des propriétés dosimétriques de structures semi-conductrices destinées à la dosimétrie In vivo / Nour El Houda Fares

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Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D / Nour El Houda Kheniene (Née Touidjen)  

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Potentialités de films de silicium polycristallin LPCVD destinés à l’étude d’une cellule solaire multicouches / Nisrine Benloucif  

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Récristallisation thermiques et conduction électrique de couches minces semiconductrices pour leur application à des structures MOS / Sidi Mohamed Ould Ahmed

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