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Titre : Etude de couches minces de silicium implantées à l’antimoine ou l’arsenic Type de document : texte imprimé Auteurs : Hassan Guendouz, Auteur ; R. Labbani, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2014 Importance : 121 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium antimoine arsenic implantation ionique RBS simulation RBX microdureté de Knoop Silicon antimony ion implantation RBX simulation Knoop
micro-hardness السيليكون الأنتيمون الزرنيخ الرزع الشاردي المحاكاة RBX قساوة Knoop المجهريةIndex. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, the ion implantation of antimony or arsenic in silicon specimens was investigated. This study was based on the simulation of experimental RBS spectra by RBX code and the measurement of Knoop micro-hardness.
Experimentally, the samples which were characterized by RBS and simulated by RBX are the virgin single crystal silicon Si(111) and the doped single crystal silicon Si(111) by antimony ions with a dose of for an energy of . Those which were characterized by the Knoop test are, in one hand, the single crystal silicon Si(111) wafers which are doped by antimony ions with a dose of for an energy of
. On the other hand, they are the other single crystal silicon Si(111) samples which are doped by arsenic ions with a dose of for an energy of . A conventional thermal annealing under vacuum for thirty minutes was applied at 900 °C during 30 minutes Regarding to the characterization of thin films, the wafers which are un-implanted or implanted by antimony with a dose of were analyzed by the RBS
technique with both random and channeling mode. The other implanted specimens by antimony or arsenic with doses of or respectively were analyzed by Knoop micro-hardness test. All the doped samples were characterized before and after the thermal annealing. This characterization revealed the caused damages,
their restoration and their influence on the surface hardening.
The RBX simulation of RBS spectra in both random and channeled mode allowed us to estimate the ion implantation parameters, these parameters are agreed with those which were found by SRIM 2013 simulation and those which were calculated empirically. Furthermore, the defect concentration profile has been obtained.
Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/GUE6749.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9866 Etude de couches minces de silicium implantées à l’antimoine ou l’arsenic [texte imprimé] / Hassan Guendouz, Auteur ; R. Labbani, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2014 . - 121 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium antimoine arsenic implantation ionique RBS simulation RBX microdureté de Knoop Silicon antimony ion implantation RBX simulation Knoop
micro-hardness السيليكون الأنتيمون الزرنيخ الرزع الشاردي المحاكاة RBX قساوة Knoop المجهريةIndex. décimale : 530 Physique Résumé : In this work, the ion implantation of antimony or arsenic in silicon specimens was investigated. This study was based on the simulation of experimental RBS spectra by RBX code and the measurement of Knoop micro-hardness.
Experimentally, the samples which were characterized by RBS and simulated by RBX are the virgin single crystal silicon Si(111) and the doped single crystal silicon Si(111) by antimony ions with a dose of for an energy of . Those which were characterized by the Knoop test are, in one hand, the single crystal silicon Si(111) wafers which are doped by antimony ions with a dose of for an energy of
. On the other hand, they are the other single crystal silicon Si(111) samples which are doped by arsenic ions with a dose of for an energy of . A conventional thermal annealing under vacuum for thirty minutes was applied at 900 °C during 30 minutes Regarding to the characterization of thin films, the wafers which are un-implanted or implanted by antimony with a dose of were analyzed by the RBS
technique with both random and channeling mode. The other implanted specimens by antimony or arsenic with doses of or respectively were analyzed by Knoop micro-hardness test. All the doped samples were characterized before and after the thermal annealing. This characterization revealed the caused damages,
their restoration and their influence on the surface hardening.
The RBX simulation of RBS spectra in both random and channeled mode allowed us to estimate the ion implantation parameters, these parameters are agreed with those which were found by SRIM 2013 simulation and those which were calculated empirically. Furthermore, the defect concentration profile has been obtained.
Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/GUE6749.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9866 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité GUE/6749 GUE/6749 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude des défauts d'irradiation par implantation ionique de Sb dans Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Laicha Baouni ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 90 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Défauts d'irradiation Interaction ion-matière Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/BAO5391.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3413 Etude des défauts d'irradiation par implantation ionique de Sb dans Si [texte imprimé] / Laicha Baouni ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse . - 2009 . - 90 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Défauts d'irradiation Interaction ion-matière Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/BAO5391.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3413 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BAO/5391 BAO/5391 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude par spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford de l'implantation ionique de Sb+ dans Si.Effet de l'orientation du détecteur sur les spectrs obtenus / Rachida Nouri
Titre : Etude par spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford de l'implantation ionique de Sb+ dans Si.Effet de l'orientation du détecteur sur les spectrs obtenus Type de document : texte imprimé Auteurs : Rachida Nouri ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 118 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford Détecteurs Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/NOU5764.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3556 Etude par spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford de l'implantation ionique de Sb+ dans Si.Effet de l'orientation du détecteur sur les spectrs obtenus [texte imprimé] / Rachida Nouri ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse . - 2010 . - 118 f.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford Détecteurs Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/NOU5764.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3556 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité NOU/5764 NOU/5764 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude théorique et expérimentale de l'implantation ionique de Sb dans Si Type de document : texte imprimé Auteurs : Hamza Serrar ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse Année de publication : 2007 Importance : 72 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/SER4959.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3493 Etude théorique et expérimentale de l'implantation ionique de Sb dans Si [texte imprimé] / Hamza Serrar ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Labbani, Directeur de thèse . - 2007 . - 72 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium Antimoine Implantation ionique Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/SER4959.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3493 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité SER/4959 SER/4959 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible 
Titre : Modélisation par MATLAB de la cellule solaire bifaciale à base de silicium monocristallin Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelbaki Cherouana, Auteur ; R. Labbani, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2013 Importance : 96 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : خلية شمسية ثنائية الواجهة؛ نمودجة؛ التحسين
bifacial solar cell modeling optimization cellule solaire bifaciale modélisation optimisationIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
This dissertation entitled "Modeling by MATLAB of single-crystal silicon bifacial solar cells" is aimed to improve the power and the conversion efficiency of solar cells. We elaborated a program, under MATLAB, to model three types of photovoltaic cells: conventional (as reference), conventional with a Back Surface Field (BSF) and bifacial with BSF. Thanks to our program, we succeeded to determine the physical and geometrical parameters corresponding to the best characteristics of the cells.
According to our results, we found that the bifacial cell was best compound since it allowed a power increase of 67%.Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/CHE6399.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9416 Modélisation par MATLAB de la cellule solaire bifaciale à base de silicium monocristallin [texte imprimé] / Abdelbaki Cherouana, Auteur ; R. Labbani, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2013 . - 96 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : خلية شمسية ثنائية الواجهة؛ نمودجة؛ التحسين
bifacial solar cell modeling optimization cellule solaire bifaciale modélisation optimisationIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
This dissertation entitled "Modeling by MATLAB of single-crystal silicon bifacial solar cells" is aimed to improve the power and the conversion efficiency of solar cells. We elaborated a program, under MATLAB, to model three types of photovoltaic cells: conventional (as reference), conventional with a Back Surface Field (BSF) and bifacial with BSF. Thanks to our program, we succeeded to determine the physical and geometrical parameters corresponding to the best characteristics of the cells.
According to our results, we found that the bifacial cell was best compound since it allowed a power increase of 67%.Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/CHE6399.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9416 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CHE/6399 CHE/6399 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Documents numériques
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