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'Défauts' 
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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesEtude d'inclusions associées à des défauts de surface interne survenus lors de la fabrication de tubes sans soudure à l'unité SNS d'El Hadjar / Abdelhamid Harabi
Titre : Etude d'inclusions associées à des défauts de surface interne survenus lors de la fabrication de tubes sans soudure à l'unité SNS d'El Hadjar Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhamid Harabi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Mevrel, Directeur de thèse Année de publication : 1982 Importance : 152 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Défauts Annaba Surface interne Tubes sans soudure El hadjar Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3361 Etude d'inclusions associées à des défauts de surface interne survenus lors de la fabrication de tubes sans soudure à l'unité SNS d'El Hadjar [texte imprimé] / Abdelhamid Harabi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Mevrel, Directeur de thèse . - 1982 . - 152 f.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C.
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Défauts Annaba Surface interne Tubes sans soudure El hadjar Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3361 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité HAR/117 HAR/117 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible 
Titre : Etude des niveaux energetiques des defauts dans la bande interdite du selenium amorph (a-Se) Type de document : texte imprimé Auteurs : Fahima Djefaflia, Auteur ; Mohamed Lotfi Benkhedir, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2015 Importance : 98 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : couches minces semiconducteurs amorphes sélénium amorphe défauts bande interdite Photoconductivité transitoire effets photoinduits thin films amorphous semiconductors amorphous selenium defects bandgap transient photoconductivity photoinduced effects الشرائح الرقيقة انصاف النواقل غير البلورية السلينيوم غير
البلوري الشوائب العصابة الممنوعة الناقلية الضوئية العابرة أفعال الحث الضوئيIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
The present work consists on the elaboration and the characterization of pure and As doped a-Se thin films in order to study the electronic and optical properties of a-Se.
The first part of this thesis will treat the case of the influence of addition of As on the electronic properties of a-Se. the transient photoconductivity measurements show that As doping of a-Se eliminated the shallow defects linked to the dihedral angle in a-Se chains and introduces important changes in the density of defects in the band gap. This changes increase the relative importance of the deep defect levels in As doping a-Se and thus explain the widely reported hole lifetime shorting with As addition.
The second part concerns the optic characterization of a-Se thin films. This method has allowed us to confirm the presence of photoinduced effect in a-Se, the transmission specters realized by UV-Visible spectrophotometer of these films show that the gap of samples illuminated with blue and white natural light shifts to lower energies while their refractive index increases at room temperature. This effect is accompanied by a remarkable crystallization phenomenon
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/DJE6820.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10090 Etude des niveaux energetiques des defauts dans la bande interdite du selenium amorph (a-Se) [texte imprimé] / Fahima Djefaflia, Auteur ; Mohamed Lotfi Benkhedir, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2015 . - 98 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : couches minces semiconducteurs amorphes sélénium amorphe défauts bande interdite Photoconductivité transitoire effets photoinduits thin films amorphous semiconductors amorphous selenium defects bandgap transient photoconductivity photoinduced effects الشرائح الرقيقة انصاف النواقل غير البلورية السلينيوم غير
البلوري الشوائب العصابة الممنوعة الناقلية الضوئية العابرة أفعال الحث الضوئيIndex. décimale : 530 Physique Résumé :
The present work consists on the elaboration and the characterization of pure and As doped a-Se thin films in order to study the electronic and optical properties of a-Se.
The first part of this thesis will treat the case of the influence of addition of As on the electronic properties of a-Se. the transient photoconductivity measurements show that As doping of a-Se eliminated the shallow defects linked to the dihedral angle in a-Se chains and introduces important changes in the density of defects in the band gap. This changes increase the relative importance of the deep defect levels in As doping a-Se and thus explain the widely reported hole lifetime shorting with As addition.
The second part concerns the optic characterization of a-Se thin films. This method has allowed us to confirm the presence of photoinduced effect in a-Se, the transmission specters realized by UV-Visible spectrophotometer of these films show that the gap of samples illuminated with blue and white natural light shifts to lower energies while their refractive index increases at room temperature. This effect is accompanied by a remarkable crystallization phenomenon
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/DJE6820.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10090 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DJE/6820 DJE/6820 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Modélisation et simulation de défauts d'une machine synchrone à réluctance variable Type de document : texte imprimé Auteurs : Ilhem Bouchareb ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Amar Bentounsi, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 212 p. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
Electro-techniqueTags : Machine synchrone Réluctance variable Défauts Index. décimale : 622 Electro-Technique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electrotec/BOU5546.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=391 Modélisation et simulation de défauts d'une machine synchrone à réluctance variable [texte imprimé] / Ilhem Bouchareb ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Amar Bentounsi, Directeur de thèse . - 2009 . - 212 p.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
Electro-techniqueTags : Machine synchrone Réluctance variable Défauts Index. décimale : 622 Electro-Technique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electrotec/BOU5546.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=391 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/5546 BOU/5546 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Propagation de l'onde ultrasonore dans un materiau présentant des défauts Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed Lamine Bouchemal ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Bouhedja, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 61 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Défauts Matériau Onde ultrasonore Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2681 Propagation de l'onde ultrasonore dans un materiau présentant des défauts [texte imprimé] / Mohamed Lamine Bouchemal ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Bouhedja, Directeur de thèse . - 2010 . - 61 f.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Défauts Matériau Onde ultrasonore Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2681 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/5687 BOU/5687 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l'étude des phénomènes de diffusion et d'interactions de quelques impuretés métalliques dans le silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelkrim Zamouche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Achour, Directeur de thèse Année de publication : 1999 Importance : 172 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Défauts Diffusion Cuivre Impuretés métalliques Caractérisation électrique Interactions TID Transient Ion Drift Or-hydrogène Complexe électriquement actif Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3047 Contribution à l'étude des phénomènes de diffusion et d'interactions de quelques impuretés métalliques dans le silicium [texte imprimé] / Abdelkrim Zamouche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Achour, Directeur de thèse . - 1999 . - 172 f.
1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Défauts Diffusion Cuivre Impuretés métalliques Caractérisation électrique Interactions TID Transient Ion Drift Or-hydrogène Complexe électriquement actif Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3047 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ZAM/3214 ZAM/3214 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
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