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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesEffet du dopage sur les propriétés cristallographiques et physiques de céramiques supraconductrices Bi1.6Pb0.4Sr2CaCu2O8+d. / Faiza Bouaicha
Titre : Effet du dopage sur les propriétés cristallographiques et physiques de céramiques supraconductrices Bi1.6Pb0.4Sr2CaCu2O8+d. Type de document : texte imprimé Auteurs : Faiza Bouaicha, Auteur ; M.F Mosbah, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2011 Importance : 143 f. Format : 31 cm Note générale : Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Supraconductivité SHTC système Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O ubstitution dopage résistivité etat normal. Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BOU6045.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=5956 Effet du dopage sur les propriétés cristallographiques et physiques de céramiques supraconductrices Bi1.6Pb0.4Sr2CaCu2O8+d. [texte imprimé] / Faiza Bouaicha, Auteur ; M.F Mosbah, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2011 . - 143 f. ; 31 cm.
Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Supraconductivité SHTC système Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O ubstitution dopage résistivité etat normal. Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BOU6045.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=5956 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/6045 BOU/6045 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude des potentialités des films de SiNx pour le développement de capteurs de type ISFET Type de document : texte imprimé Auteurs : Chahra Boukaous ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Mahmadi, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 112 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Azote Bore Polycilicium ISFET Recuit Résistivité Liaison chimique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4714.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2735 Etude des potentialités des films de SiNx pour le développement de capteurs de type ISFET [texte imprimé] / Chahra Boukaous ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; R. Mahmadi, Directeur de thèse . - 2006 . - 112 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Azote Bore Polycilicium ISFET Recuit Résistivité Liaison chimique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4714.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2735 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/4714 BOU/4714 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 177 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : DRX Silicium dopé azote Résistivité Stucture CMOS Analyses IRTF Image MEB Croissance cristalline Cinétique de cristallisation Structure polycristalline Taille des grains Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4400.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2739 Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS [texte imprimé] / Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2005 . - 177 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : DRX Silicium dopé azote Résistivité Stucture CMOS Analyses IRTF Image MEB Croissance cristalline Cinétique de cristallisation Structure polycristalline Taille des grains Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4400.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2739 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/4400 BOU/4400 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
