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'Effet Hall' 
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Titre : Elaboration de couches minces ZnO par ablation laser et caractérisation physique Type de document : texte imprimé Auteurs : Fouad Kermiche, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 129 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Sciences des matériaux ZnO couche mince ZnO dopé aluminium PLD RBS M-lines Effet hall thin films aluminum doped ZnO Hall Effect أكسید الزنك شرائح رقیقة الألمنیوم الإستئصال اللیزري PLD مطیافیة
رذرفورد (RBS) مطیافیة الخطوط السوداءLines-M أثر ھول ( Hall Effet"Index. décimale : 530 Physique Résumé : Our thesis aims to achieve and study of the physical properties (Structural, morphological, optical and electrical) of conductive and transparent thin layers of undoped zinc oxide (ZnO) and doped aluminum (AZO) prepared by the pulsed laser deposition technique (PLD) on glass and silicon substrates heated to 450°C.
The source used is a KrF excimer laser (248 nm, 25 ns, 2 J/cm2). The structural study by X-ray diffraction (XRD) showed that these layers has a hexagonal crystal structure with a preferential growth according to the (002) orientation, and a decrease in grain sizes of about 40 to 25 nm with increasing aluminum doping rates of 0 to 5 at%.
leading to a deterioration of the crystalline quality of the layers. The Atomic Force Microscope AFM was used to study the state of the surfaces and their roughness which was found to be between 3 and 15 nm. Rutherford backscattering spectroscopy RBS was used to determine the chemical composition and thickness of the prepared
films, the layer thickness ranges from about 179-366 nm. Study by UV-visible spectrophotometry showed that the transmittance of the samples is around 75% in visible with an optical band gap varying from 3.23 to 3.36 eV when the content of Al doping increases from 0 to 5 at.%. Analysis by (M-Lines) helped us to extract approximate values for the refractive index of these layers, which is between 1.83 and 1.97, and thicknesses very close from those estimated by the RBS analysis, as well as the possibility of using the layers in the field of the optical waveguide. In addition to these results, the electrical measurements by (Hall Effect) have shown that all the layers prepared in this study are n-type semiconductor, and that, the aluminum doping increases the concentration of charge carriers and reduces resistance.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/KER6718.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9905 Elaboration de couches minces ZnO par ablation laser et caractérisation physique [texte imprimé] / Fouad Kermiche, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 129 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Sciences des matériaux ZnO couche mince ZnO dopé aluminium PLD RBS M-lines Effet hall thin films aluminum doped ZnO Hall Effect أكسید الزنك شرائح رقیقة الألمنیوم الإستئصال اللیزري PLD مطیافیة
رذرفورد (RBS) مطیافیة الخطوط السوداءLines-M أثر ھول ( Hall Effet"Index. décimale : 530 Physique Résumé : Our thesis aims to achieve and study of the physical properties (Structural, morphological, optical and electrical) of conductive and transparent thin layers of undoped zinc oxide (ZnO) and doped aluminum (AZO) prepared by the pulsed laser deposition technique (PLD) on glass and silicon substrates heated to 450°C.
The source used is a KrF excimer laser (248 nm, 25 ns, 2 J/cm2). The structural study by X-ray diffraction (XRD) showed that these layers has a hexagonal crystal structure with a preferential growth according to the (002) orientation, and a decrease in grain sizes of about 40 to 25 nm with increasing aluminum doping rates of 0 to 5 at%.
leading to a deterioration of the crystalline quality of the layers. The Atomic Force Microscope AFM was used to study the state of the surfaces and their roughness which was found to be between 3 and 15 nm. Rutherford backscattering spectroscopy RBS was used to determine the chemical composition and thickness of the prepared
films, the layer thickness ranges from about 179-366 nm. Study by UV-visible spectrophotometry showed that the transmittance of the samples is around 75% in visible with an optical band gap varying from 3.23 to 3.36 eV when the content of Al doping increases from 0 to 5 at.%. Analysis by (M-Lines) helped us to extract approximate values for the refractive index of these layers, which is between 1.83 and 1.97, and thicknesses very close from those estimated by the RBS analysis, as well as the possibility of using the layers in the field of the optical waveguide. In addition to these results, the electrical measurements by (Hall Effect) have shown that all the layers prepared in this study are n-type semiconductor, and that, the aluminum doping increases the concentration of charge carriers and reduces resistance.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/KER6718.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9905 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KER/6718 KER/6718 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude structurale et optique de films minces ZnO élaborés par voie physique et/ou chimique / Adel Taabouche
Titre : Etude structurale et optique de films minces ZnO élaborés par voie physique et/ou chimique Type de document : texte imprimé Auteurs : Adel Taabouche, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 107 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Sciences des matériaux Couche mince ZnO PLD Spray DRX AFM RBS M-lines UV-visible Effet Hall Thin films XRD Hall Effect شرائح رقیقة أكسید الزنك الإستئصال اللیزري الرش فوق الصوتي انحراف الأشعة
السینسة مطیافیة رذرفورد مطیافیة الخطوط السوداء أثر ھولIndex. décimale : 530 Physique Résumé : In the present work, we have studied essentially the structural and optical properties of ZnO thin films elaborated using the physical technique s of the pulsed laser ablation (PLD) and the chemical method of the ultrasonic spray pyrolysis.
We have prepared undoped (ZnO) and cobalt-doped zinc oxide (CZO) thin films (Co: 3,5 at.%) by means of the PLD method. Synthesized films have been deposited on glass and silicon substrates heated at 450°C. The used source was a KrF eximer laser (248 nm, 25 ns, 2 J ⁄cm2). Different experimental techniques have been carried out to analyze the fabricated films: the X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), Rutherford Backscattering spectrometry (RBS), UV-visible spectrophotometry, M-lines
spectroscopy and Hall effect.
While the ZnO films obtained by the ultrasonic spray technique have been deposited with different deposition times (10, 20, 30 min) on a glass substrate heated at 410 °C, and then they have characterized by XRD, AFM, UV-visible, M-lines and hall effect techniques.
The carried out study shows that all the prepared zinc oxide films have a hexagonal wurtzite-type structure and a preferentially oriented along the direction (002) confused with the c-axis perpendicular to the surface of the substrates. The grain sizes deducted from the XRD measurements vary between 24 and 40 nm. The optical coupling analysis realized by M-lines show that the ZnO films are monomode (for both TE and TM polarizations). However, the undoped ZnO film obtained by PLD is found to be two
guiding modes for TM. The films obtained have an optical transmission of 70 to 90% in the visible region of the spectrum and an optical band gap varying from 3.18 to 3.37 eV.
The electrical conductivity and the concentration of carriers, deduced from Hall effect measurements, are relatively low namely for the films prepared by spray pyrolysis technique.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/TAA6719.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9904 Etude structurale et optique de films minces ZnO élaborés par voie physique et/ou chimique [texte imprimé] / Adel Taabouche, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 107 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Sciences des matériaux Couche mince ZnO PLD Spray DRX AFM RBS M-lines UV-visible Effet Hall Thin films XRD Hall Effect شرائح رقیقة أكسید الزنك الإستئصال اللیزري الرش فوق الصوتي انحراف الأشعة
السینسة مطیافیة رذرفورد مطیافیة الخطوط السوداء أثر ھولIndex. décimale : 530 Physique Résumé : In the present work, we have studied essentially the structural and optical properties of ZnO thin films elaborated using the physical technique s of the pulsed laser ablation (PLD) and the chemical method of the ultrasonic spray pyrolysis.
We have prepared undoped (ZnO) and cobalt-doped zinc oxide (CZO) thin films (Co: 3,5 at.%) by means of the PLD method. Synthesized films have been deposited on glass and silicon substrates heated at 450°C. The used source was a KrF eximer laser (248 nm, 25 ns, 2 J ⁄cm2). Different experimental techniques have been carried out to analyze the fabricated films: the X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), Rutherford Backscattering spectrometry (RBS), UV-visible spectrophotometry, M-lines
spectroscopy and Hall effect.
While the ZnO films obtained by the ultrasonic spray technique have been deposited with different deposition times (10, 20, 30 min) on a glass substrate heated at 410 °C, and then they have characterized by XRD, AFM, UV-visible, M-lines and hall effect techniques.
The carried out study shows that all the prepared zinc oxide films have a hexagonal wurtzite-type structure and a preferentially oriented along the direction (002) confused with the c-axis perpendicular to the surface of the substrates. The grain sizes deducted from the XRD measurements vary between 24 and 40 nm. The optical coupling analysis realized by M-lines show that the ZnO films are monomode (for both TE and TM polarizations). However, the undoped ZnO film obtained by PLD is found to be two
guiding modes for TM. The films obtained have an optical transmission of 70 to 90% in the visible region of the spectrum and an optical band gap varying from 3.18 to 3.37 eV.
The electrical conductivity and the concentration of carriers, deduced from Hall effect measurements, are relatively low namely for the films prepared by spray pyrolysis technique.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/TAA6719.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9904 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TAA/6719 TAA/6719 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude de l'intéraction de l'hydrogène (Diffusion) avec les donneurs Pet As dans le silicium.Comparaison avec le type p. Type de document : texte imprimé Auteurs : Boubaker Ben Haoua ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Abdelhamid Chari, Directeur de thèse Année de publication : 1993 Importance : 105 p. Note générale : 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Compensation Effet Hall Silicium Antimoine complexe Bore Hydrogène Phosphore Arsenic Aluminium Mesures capacitatives S.I.M.S. Interaction Passivation Neutrealisation Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/BEN2479.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3135 Etude de l'intéraction de l'hydrogène (Diffusion) avec les donneurs Pet As dans le silicium.Comparaison avec le type p. [texte imprimé] / Boubaker Ben Haoua ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Abdelhamid Chari, Directeur de thèse . - 1993 . - 105 p.
02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Compensation Effet Hall Silicium Antimoine complexe Bore Hydrogène Phosphore Arsenic Aluminium Mesures capacitatives S.I.M.S. Interaction Passivation Neutrealisation Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/physique/BEN2479.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3135 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/2479 BEN/2479 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Stabilité de la convection naturelle à double diffusion Type de document : texte imprimé Auteurs : Smail Benissaad ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; M. Afrid, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 145 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
Génie MécaniqueTags : Régime transitoire Champ magnetique Convection naturelle bi et tridimensionnelle Double diffusion Bifurcations Structure multicellulaire Force de Lorentz Effet Hall Index. décimale : 620 Génie Mécanique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/gmecanique/BEN3864.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=749 Stabilité de la convection naturelle à double diffusion [texte imprimé] / Smail Benissaad ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; M. Afrid, Directeur de thèse . - 2003 . - 145 f.
1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
Génie MécaniqueTags : Régime transitoire Champ magnetique Convection naturelle bi et tridimensionnelle Double diffusion Bifurcations Structure multicellulaire Force de Lorentz Effet Hall Index. décimale : 620 Génie Mécanique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/gmecanique/BEN3864.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=749 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/3864 BEN/3864 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
